[發(fā)明專利]一種防爆的半導體模塊

有效

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• 申請日: 2014-08-18
• 公開（公告）號: CN104517910B
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發(fā)明（設計）人: O·霍爾菲爾德;G·伯尼希
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱;管志華

1.一種半導體模塊，其具有載體(2)、安裝在所述載體(2)之上的至少一個半導體芯片(1)、金屬絲(4)、模塊殼體(7)以及第一消聲裝置(8)，其中，

所述模塊殼體(7)具有殼體側壁(71)；

所述金屬絲(4)被設置在所述模塊殼體(7)之中；以及

所述第一消聲裝置(8)的至少一個分段被設置在所述半導體芯片(1)和所述殼體側壁(71)之間，

其中，在所述模塊殼體(7)中設置有沙子(6)；

所述第一消聲裝置(8)具有一個以氣體填充的中間空間(81)或者多個以氣體填充的中間空間(81)并且與整體上以氣體來填充的中間空間(81)一起占據第一空間區(qū)域，所述第一空間區(qū)域具有第一體積(V1)；

僅僅有所述沙子(6)位于其中的、以氣體填充的空隙占據第二空間區(qū)域，所述第二空間區(qū)域具有第二體積(V2)；

所述第二體積(V2)和所述第一體積(V1)之間的比例(V2÷V1)處在1至10的范圍內。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)：

-被構造為開放的聚合物泡沫；或者

-被構造為無紡布；或者

-由石棉組成；或者

-由玻璃棉組成；或者

具有以上所提及的多個結構中的至少一種。

3.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)至少在第一方向(x)上具有與長度相關的流動阻力(r)，所述流動阻力大于50kPa·s·m^-2。

4.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)至少在第一方向(x)上具有與長度相關的流動阻力(r)，所述流動阻力小于150kPa·s·m^-2。

5.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)具有蜂窩結構。

6.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)

被構造為開放的聚合物泡沫，其中，所述聚合物泡沫被構造為與所述模塊殼體(7)一體成型，或者

被構造為蜂窩結構，其中，所述蜂窩結構被構造為與所述模塊殼體(7)一體成型。

7.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，

所述半導體芯片(1)具有平的芯片底側(1b)，所述芯片底側朝向所述載體(2)；并且

所述第一消聲裝置(8)在一個或者在每個與所述芯片底側(1b)平行的方向(x)上被設置在所述半導體芯片(1)和所述殼體側壁(71)之間。

8.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，

所述半導體芯片(1)具有平的芯片底側(1b)，所述芯片底側朝向所述載體(2)；以及

所述第一消聲裝置(8)在一個或者在每個與所述芯片底側(1b)平行的方向(x)上具有至少3mm的寬度(b8)。

9.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，

所述半導體芯片(1)具有平的芯片底側(1b)，所述芯片底側朝向所述載體(2)；以及

所述第一消聲裝置(8)在一個或者在每個與所述芯片底側(1b)平行的方向(x)上具有最高30mm的寬度(b8)。

10.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，

所述半導體芯片(1)具有平的芯片底側(1b)，所述芯片底側朝向所述載體(2)；以及

所述第一消聲裝置(8)的一個分段在與所述芯片底側(1b)平行的方向(x)上被設置在所述半導體芯片(1)和所述殼體側壁(71)之間。

11.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)被構造為封閉的環(huán)，所述封閉的環(huán)圍繞所述半導體芯片(1)。