[發明專利]一種防爆的半導體模塊有效

申請號：	201410406510.9	申請日：	2014-08-18
公開（公告）號：	CN104517910B	公開（公告）日：	2018-10-19
發明（設計）人：	O·霍爾菲爾德;G·伯尼希	申請（專利權）人：	英飛凌科技股份有限公司
主分類號：	H01L23/28	分類號：	H01L23/28;H01L23/48
代理公司：	北京市金杜律師事務所 11256	代理人：	鄭立柱;管志華
地址：	德國諾伊***	國省代碼：	德國;DE
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體模塊模塊殼體半導體芯片殼體側壁消聲裝置金屬絲防爆分段被
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【說明書】：

一種防爆的半導體模塊。本發明涉及一種半導體模塊(100)，其具有載體(2)、安裝在所述載體(2)之上的至少一個半導體芯片(1)、金屬絲(4)、模塊殼體(7)以及第一消聲裝置(8)。所述模塊殼體(7)具有殼體側壁(71)，所述金屬絲(4)被設置在所述模塊殼體(7)之中；并且所述第一消聲裝置(8)的至少一個分段被設置在所述半導體芯片(1)和所述殼體側壁(71)之間。

技術領域

本發明涉及一種半導體模塊。

背景技術

在半導體模塊的許多應用之中，在模塊之內出現的爆炸能夠損傷或者至少是污染了該模塊所處于的周圍環境。此類的爆炸能夠例如在如下情形時出現，例如在浪涌電流負載的情況下確定的界限值被超過時。然后例如能夠使得構建在半導體模塊之中的半導體芯片和/或金屬絲爆炸性地蒸發。在極端情況下，該模塊殼體釋放的導電的等離子。此外，在該模塊殼體之中能夠產生電弧，由于該電弧的產生將能夠蒸發另外的材料并且通過所產生的壓力將其從該模塊殼體之中甩出。在不利的情況下，所出現的等離子能夠在該模塊殼體之外引起電短路。

發明內容

本發明的任務在于提供一種半導體模塊，其具有好的防爆特性。該任務將通過半導體模塊得以解決。本發明的設計方案和改進方案是下文的主題。

依據本發明的半導體模塊包括一個載體、至少一個安裝在所述載體之上的半導體芯片、一個金屬絲、具有殼體側壁的模塊殼體以及第一消聲裝置。所述金屬絲被設置在所述模塊殼體之中并且所述第一消聲裝置或者所述第一消聲裝置的至少一個分段被設置在所述半導體芯片和所述殼體側壁之間。

可選地，所述第一消聲裝置至少在第一方向具有與長度相關的流動阻力r，所述流動阻力大于50kPa·s·m^-2和/或小于150kPa·s·m^-2。

其中，所述第一方向能夠基本上任意地走向，尤其是但是也能夠平行于朝向載體的平的半導體底側。此外，與長度相關的流動阻力的所提及的值域能夠不僅在第一方向上，也能夠在每個與朝向所述載體的所述半導體芯片的底側平行的方向上走向。

可選地，所述第一消聲裝置在第一方向上或者甚至在每個與平的、朝向所述載體的半導體芯片的底側平行地走向的第一方向上根據DIN EN 29053標準具有在大于250Pa·s·m^-1和/或小于4.5kPa·s·m^-1的范圍內的流動阻力率R_S。

所述第一消聲裝置實現了使得在所述模塊殼體之內出現的爆炸的緩解并且避免或者至少緩解所引起的描述的影響。

附圖說明

下面將借助于多個實施例參照所附的附圖來進一步闡述本發明。并無二致地，在這些附圖中相同的附圖標記描述了相同的或者起相同作用的元件。附圖中：

圖1示出了穿過半導體模塊的一個分段的縱斷面，在該半導體模塊的殼體之中安置有第一消聲裝置，該第一消聲裝置至少部分地處于半導體芯片和殼體側壁之間；

圖2示出了穿過半導體模塊的一個分段的縱斷面，在該半導體模塊之中將沙子引入了該模塊殼體之中；

圖3示出了穿過半導體模塊的一個分段的縱斷面，在該半導體模塊之中在半導體芯片之上安置有第二消聲裝置；