[發明專利]p型SnO薄膜及其p-n結二極管的制備方法

無效

• 申請號: 201410406410.6
• 申請日: 2014-08-18
• 公開（公告）號: CN104178730A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 楊鐵瑩;趙俊;李曉龍;高興宇;薛超凡;吳衍青;邰仁忠
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海應用物理研究所
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;H01L21/329
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 鄧琪

1.一種p型SnO薄膜的制備方法，其特征在于，以SnO陶瓷靶為靶材，采用射頻磁控濺射在石英襯底上原位沉積形成p型SnO薄膜，其中，襯底溫度為150-300℃，濺射功率為50-150W，工作氣體為Ar氣，氣壓為0.5-2.0Pa，氣體流量為50-100sccm。

2.如權利要求1所述的p型SnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法不涉及對所述p型SnO薄膜進行退火的操作。

3.如權利要求1所述的p型SnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述SnO陶瓷靶的純度為99.99wt％。

4.一種p-n結二極管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)以SnO陶瓷靶為靶材，采用射頻磁控濺射在石英襯底上原位沉積形成p型SnO薄膜，其中，襯底溫度為150-300℃，濺射功率為50-150W，工作氣體為Ar氣，氣壓為0.5-2.0Pa，氣體流量為50-100sccm；

(2)以SnO₂:Sb陶瓷靶為靶材，采用射頻磁控濺射在所述p型SnO薄膜上原位沉積形成n型SnO₂:Sb薄膜，其中，襯底溫度為150-300℃，濺射功率為50-150W，工作氣體為Ar氣，氣壓為0.5-2.0Pa，氣體流量為50-100sccm；

(3)所述n型SnO₂:Sb薄膜與位于其下方的p型SnO薄膜形成所述p-n結二極管。

5.如權利要求4所述的p-n結二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法不涉及對所述p型SnO薄膜和所述n型SnO₂:Sb薄膜進行退火的操作。

6.如權利要求4所述的p型SnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述SnO陶瓷靶的純度為99.99wt％。

7.一種根據權利要求4的方法制備的p-n結二極管，其特征在于，包括

石英襯底；

形成在所述石英襯底上的p型SnO薄膜；以及

形成在所述p型SnO薄膜上的n型SnO₂:Sb薄膜。

8.如權利要求7所述的p-n結二極管，其特征在于，所述p型SnO薄膜的厚度為200-300nm。

9.如權利要求7所述的p-n結二極管，其特征在于，所述n型SnO₂:Sb薄膜的厚度為200-300nm。

10.如權利要求7所述的p-n結二極管，其特征在于，所述n型SnO₂:Sb薄膜的面積小于所述p型SnO薄膜的面積。