[發(fā)明專利]一種新型HOT SWAP控制芯片設(shè)計方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410405285.7 | 申請日： | 2014-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN104166766A | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王武軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250101 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 hot swap 控制 芯片 設(shè)計 方法 | ||
1.一種新型HOT?SWAP控制芯片設(shè)計方法，其特征是具體步驟為：
①將MOSFET與控制IC集成為一顆芯片，并且通過電流鏡像原理反饋給控制單元通過MOSFET的電流值大小，通過此單元實現(xiàn)OCP保護功能；
②內(nèi)部集成MOSFET溫度偵測單元，通過此單元實現(xiàn)OVP保護或者UVLO保護；
③內(nèi)部數(shù)字控制單元，實現(xiàn)電流偵測，溫度偵測，電壓偵測，并存儲到寄存器中，通過PMBUS協(xié)議，允許主機訪問寄存器，讀取數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型HOT?SWAP控制芯片設(shè)計方法，其特征是所述的步驟①中電流值的大小通過MOSFET矩陣中固定位置挑選其中一顆MOSFET作為基準(zhǔn)，此顆MOSFET通過的電流與整顆MOSFET成正比關(guān)系，通過偵測流過此顆MOSFET的電流來計算流過整體芯片的電流大小。
3.??根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型HOT?SWAP控制芯片設(shè)計方法，其特征是所述的步驟②中偵測VIN端電壓，當(dāng)電壓高于設(shè)定值時，觸發(fā)保護OVP保護；當(dāng)電壓低于設(shè)定值時，觸發(fā)保護UVLO保護。
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