[發(fā)明專利]一種提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)線性度的方法及MOS管模擬開關(guān)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410403850.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104158526B | 公開(公告)日: | 2017-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃正波;李婷;李儒章;張勇;王妍;陳光炳;付東兵;王育新 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所 |
| 主分類號(hào): | H03K17/687 | 分類號(hào): | H03K17/687 |
| 代理公司: | 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11275 | 代理人: | 趙榮之 |
| 地址: | 400060 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 mos 模擬 開關(guān) 線性 方法 開關(guān)電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,特別涉及MOS管作為模擬信號(hào)采樣開關(guān)的集成電路應(yīng)用領(lǐng)域。
背景技術(shù)
在一些集成電路應(yīng)用中,需要采用MOS晶體管作為模擬開關(guān)進(jìn)行信號(hào)的傳輸控制,特別是采用MOS晶體管集成設(shè)計(jì)的采樣保持電路中,其應(yīng)用最為廣泛。為了降低MOS管作為模擬開關(guān)時(shí),其等效導(dǎo)通電阻阻值隨輸入信號(hào)變化的非線性影響,較常見的方法是采用柵壓自舉技術(shù),使MOS管模擬開關(guān)柵極電壓值含有輸入信號(hào)分量,從而將MOS管模擬開關(guān)源極的輸入信號(hào)分量抵消,實(shí)現(xiàn)MOS管模擬開關(guān)等效導(dǎo)通電阻阻值與輸入信號(hào)無關(guān)的目的,提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)性能。
通常的柵壓自舉技術(shù)在一定的設(shè)計(jì)指標(biāo)范圍內(nèi)可以滿足MOS管模擬開關(guān)線性度要求,并沒有考慮MOS管模擬開關(guān)柵極寄生電容對(duì)其線性度的影響。但是進(jìn)一步的分析可以發(fā)現(xiàn),由于柵壓自舉電路中寄生電容和MOS管模擬開關(guān)柵極寄生電容的影響,MOS管模擬開關(guān)柵極電壓值中的輸入信號(hào)分量并不能完全抵消其源漏極輸入信號(hào)值,特別是在高精度模擬信號(hào)傳輸應(yīng)用中,當(dāng)MOS模擬開關(guān)尺寸增大,寄生電容影響將嚴(yán)重影響其等效導(dǎo)通電阻線性度。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此,本發(fā)明提供一種提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)線性度的方法,該方法消除由寄生電容造成的MOS管模擬開關(guān)非線性影響,同時(shí)本發(fā)明還提供一種MOS管模擬開關(guān)電路。
為達(dá)到上述目的之一,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)線性度方法,在MOS管模擬開關(guān)電路中設(shè)置補(bǔ)償電路,補(bǔ)償MOS管模擬開關(guān)在導(dǎo)通階段由于寄生電容電荷分配損失的電荷量,提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)線性度。
為達(dá)到上述目的之二,一種MOS管模擬開關(guān)電路,包括柵壓自舉電路、電荷補(bǔ)償電路和MOS管模擬開關(guān),所述柵壓自舉電路用于產(chǎn)生一個(gè)與輸入電壓幅度相關(guān)的自舉電壓,所述MOS管模擬開關(guān)用于控制輸入信號(hào)的傳輸,所述電荷補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償MOS管模擬開關(guān)在導(dǎo)通階段由于寄生電容電荷分配損失的電荷量。
進(jìn)一步,所述柵壓自舉電路包括柵壓自舉電容Cb、控制開關(guān)M1、控制開關(guān)M2、控制開關(guān)M3、控制開關(guān)M4、控制開關(guān)M5、控制開關(guān)M6、控制開關(guān)M7、控制開關(guān)M8;所述控制開關(guān)M1的源極接電源,控制開關(guān)M1的柵極分別與控制開關(guān)M3的漏極、控制開關(guān)M2的源極連接;控制開關(guān)M2的柵極接第一控制信號(hào);控制開關(guān)M3的源極接地,控制開關(guān)M3的柵極接第一控制信號(hào);控制開關(guān)M1的漏極分別與控制開關(guān)M2的漏極、控制開關(guān)M4的源極、柵壓自舉電容Cb的一端連接,柵壓自舉電容Cb的另一端與控制開關(guān)M8的漏極連接,控制開關(guān)M8的源極接地,控制開關(guān)M8的柵極接第一控制信號(hào);控制開關(guān)M4的漏極與控制開關(guān)M6的漏極連接,控制開關(guān)M6的源極接地,控制開關(guān)M6的柵極接第一控制信號(hào),控制開關(guān)M4的柵極分別與控制開關(guān)M5的漏極、控制開關(guān)M7的漏極,控制開關(guān)M5的源極接電源,控制開關(guān)M7的源極接地,控制開關(guān)M7的柵極與控制開關(guān)M5的柵極接第二控制信號(hào)。
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