[發明專利]一種提高MOS管模擬開關線性度的方法及MOS管模擬開關電路

有效

• 申請號: 201410403850.6
• 申請日: 2014-08-15
• 公開（公告）號: CN104158526B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 黃正波;李婷;李儒章;張勇;王妍;陳光炳;付東兵;王育新
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種提高MOS管模擬開關線性度的方法，其特征在于：在MOS管模擬開關電路中設置補償電路，補償MOS管模擬開關在導通階段由于寄生電容電荷分配損失的電荷量，提高MOS管模擬開關線性度。

2.一種MOS管模擬開關電路，其特征在于：包括柵壓自舉電路、電荷補償電路和MOS管電路，所述柵壓自舉電路用于產生一個與輸入電壓幅度相關的自舉電壓，所述MOS管模擬開關用于控制輸入信號的傳輸，所述電荷補償電路用于補償MOS管在導通階段由于寄生電容電荷分配損失的電荷量。

3.根據權利要求2所述的MOS管模擬開關電路，其特征在于：所述柵壓自舉電路包括柵壓自舉電容C_b、控制開關M₁、控制開關M₂、控制開關M₃、控制開關M₄、控制開關M₅、控制開關M₆、控制開關M₇、控制開關M₈；所述控制開關M₁的源極接電源，控制開關M₁的柵極分別與控制開關M₃的漏極、控制開關M₂的源極連接；控制開關M₂的柵極接第一控制信號；控制開關M₃的源極接地，控制開關M₃的柵極接第一控制信號；控制開關M₁的漏極分別與控制開關M₂的漏極、控制開關M₄的源極、柵壓自舉電容C_b的一端連接，柵壓自舉電容C_b的另一端與控制開關M₈的漏極連接，控制開關M₈的源極接地，控制開關M₈的柵極接第一控制信號；控制開關M₄的漏極與控制開關M₆的漏極連接，控制開關M₆的源極接地，控制開關M₆的柵極接第一控制信號，控制開關_M4的柵極分別與控制開關M₅的漏極、控制開關M₇的漏極，控制開關M₅的源極接電源，控制開關M₇的源極接地，控制開關M₇的柵極與控制開關M₅的柵極接第二控制信號。

4.根據權利要求3所述的MOS管模擬開關電路，其特征在于：所述電荷補償電路包括控制開關M_9a、控制開關M_11a、補償電容C_ca、傳輸門T₁；控制開關M_11a的源極分別與控制開關M₄的漏極、控制開關M₆的漏極連接，控制開關M_11a的柵極與控制開關M₄的柵極連接，控制開關M_11a的漏極分別與補償電容C_ca的一端、傳輸門T₁的輸出端連接，補償電容C_ca的另一端分別與控制開關M₈的漏極、控制開關M_9a的漏極連接，控制開關M_9a的柵極與控制開關M_11a的源極連接，傳輸門T₁的輸入端接輸入信號，控制開關M_9a的源極與傳輸門T₁的輸入端連接，傳輸門T₁的其中一個控制端接第一控制信號，另一個控制端接第二控制信號。

5.根據權利要求4所述的MOS管模擬開關電路，其特征在于：所述MOS管模擬開關包括MOS管M_10a，MOS管M_10a的柵極與控制開關M_9a的柵極連接，MOS管M_10a的源極與控制開關M_9a的源極連接，MOS管M_10a的漏極作為輸出端，MOS管M_10a的襯底與控制開關M_9a的漏極連接。