[發(fā)明專利]在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410403748.6
• 申請日: 2014-08-15
• 公開（公告）號: CN104167363A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發(fā)明（設計）人: 桑寧波;雷通
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法，其特征在于包括：

第一步驟，在硅片上形成Fin-FET器件的鰭；

第二步驟，沉積一層介質(zhì)層覆蓋所述鰭作為虛擬柵極層，在虛擬柵極層上沉積硬掩模層和光刻膠進行光刻刻蝕以形成虛擬柵極；

第三步驟，在柵極區(qū)域表面形成一層薄膜；

第四步驟，刻蝕所述薄膜以形成覆蓋虛擬柵極側(cè)壁的側(cè)墻保護層；

第五步驟，沉積柵極氧化層和柵極；

第六步驟，去除虛擬柵極，保留極氧化層和柵極以及側(cè)墻保護層，并進行后續(xù)的離子注入工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法，其特征在于，硅片是外延硅或者外延鍺硅的硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法，其特征在于，在第一步驟中，鰭之間被淺溝槽結(jié)構(gòu)形成有源區(qū)的隔離，隔離部分的淺溝槽用二氧化硅填充。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法，其特征在于，在第一步驟中，鰭的頂部未被淺溝槽隔離的高度在200A到600A之間，鰭的頂部的寬度在10-60納米之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法，其特征在于，在第二步驟中，虛擬柵極的介質(zhì)層采用化學氣相沉積或者旋涂凝膠法生長方法，形成一層覆蓋鰭的薄膜覆蓋層，根據(jù)柵極的高度來定義薄膜覆蓋層相對于鰭的頂端的高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法，其特征在于，第三步驟，所述薄膜的臺階覆蓋性高于90％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法，其特征在于，第四步驟，采用各向異性刻蝕對所述薄膜進行刻蝕，其中縱向刻蝕量高于橫向刻蝕量，虛擬柵極頂部的和鰭的頂部的薄膜被完全刻蝕掉。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的在FinFET器件上形成離子注入側(cè)墻保護層的方法，其特征在于，在第六步驟中，采用干法灰化工藝刻蝕去除虛擬柵極。