[發明專利]改善多孔低介電常數材料垂直均勻性的方法有效
| 申請號： | 201410403327.3 | 申請日： | 2014-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN104157552B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發明（設計）人： | 雷通 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/205;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 多孔 介電常數 材料 垂直 均勻 方法 | ||
1.一種改善多孔低介電常數材料垂直均勻性的方法，其特征在于包括：
第一步驟，進行第一次低介電常數材料沉積以形成第一低介電常數材料層；
第二步驟，對第一低介電常數材料層執行等離子體固化以對第一低介電常數材料層的致孔劑進行驅除，由此形成等離子體固化后的低介電常數材料層；
第三步驟，在等離子體固化后的低介電常數材料層上進行第二次低介電常數材料沉積以形成第二低介電常數材料層；
第四步驟，對第二低介電常數材料層進行紫外光固化處理以形成多孔低介電常數材料。
2.根據權利要求1所述的改善多孔低介電常數材料垂直均勻性的方法，其特征在于，第二步驟采用的等離子體固化為H2等離子體固化。
3.根據權利要求2所述的改善多孔低介電常數材料垂直均勻性的方法，其特征在于，H2等離子體固化的工藝參數為：溫度200-400℃，壓力2-10torr，H2流量為1000-10000sccm，射頻功率為100-1000w。
4.根據權利要求1或2所述的改善多孔低介電常數材料垂直均勻性的方法，其特征在于，等離子體固化的時間在10s-100s。
5.根據權利要求1或2所述的改善多孔低介電常數材料垂直均勻性的方法，其特征在于，第二低介電常數材料層的厚度為第一低介電常數材料層的三倍。
6.根據權利要求1或2所述的改善多孔低介電常數材料垂直均勻性的方法，其特征在于，第四步驟中紫外光固化時的紫外光波長范圍為200-400nm，固化時間為100-500s。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
