[發明專利]具有第一和第二開關器件的集成電路、半橋電路及其制造方法

在審

• 申請號: 201410403206.9
• 申請日: 2014-08-15
• 公開（公告）號: CN104377198A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: S·萊奧芒;M·H·菲勒梅耶
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L27/085
• 分類號: H01L27/085;H01L27/088;H01L21/8232;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路，包括：

第一開關器件，包括在半導體部分的第一區段中的第一半導體區域；以及

第二開關器件，包括在所述半導體部分的第二區段中的第二半導體區域，其中

所述第一區段和所述第二區段以及在所述半導體部分外的所述第一開關器件和所述第二開關器件的電極結構沿著垂直于所述半導體部分的第一表面的垂直軸線被布置。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一半導體區域和所述第二半導體區域在所述垂直方向上的垂直投影相互重疊。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一開關器件和所述第二開關器件中的至少一個開關器件是具有沿著所述垂直方向的主負載電流路徑的垂直晶體管。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一開關器件是具有沿著所述垂直方向的主負載電流路徑的垂直晶體管，而所述第二開關器件是具有沿著平行于所述第一表面的橫向方向的主負載電流路徑的橫向晶體管。

5.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一開關器件和所述第二開關器件中的至少一個開關器件是具有沿著平行于所述第一表面的橫向方向的主負載電流路徑的橫向高電子遷移率晶體管。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一區段和所述第二區段重疊，并且所述第一開關器件和所述第二開關器件共享所述半導體區域的重疊區段。

7.根據權利要求6所述的集成電路，其中所述重疊區段作為所述第一開關器件和所述第二開關器件中的一個開關器件的漏極區域以及作為所述第一開關器件和所述第二開關器件中的另一個開關器件的源極區域而有效。

8.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括：

至少一個器件連接結構，電連接至所述第一開關器件和所述第二開關器件中的一個開關器件的漏極區域，以及電連接至所述第一開關器件和所述第二開關器件中的另一個開關器件的源極區域。

9.根據權利要求8所述的集成電路，其中所述至少一個器件連接結構延伸穿過所述半導體部分。

10.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一開關器件包括多個第一晶體管單元，而所述第二開關器件包括多個第二晶體管單元，所述多個第二晶體管單元被布置在至少一些所述第一晶體管單元的垂直投影中。

11.根據權利要求10所述的集成電路，其中所述第一晶體管單元沿著平行于所述第一表面的第一橫向方向以第一中心至中心距離而規則地被布置，并且所述第二晶體管單元沿著所述第一橫向方向以第二中心至中心距離而規則地被布置。

12.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一開關器件設置在所述半導體部分的第一側處，并且所述第二開關器件設置在所述半導體部分的與所述第一側相對的第二側處。

13.根據權利要求1所述的集成電路，其中在所述第一區段和所述第二區段之間的界面或重疊區域平行于所述第一表面而延伸。

14.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括：

基部襯底，在所述第一區段和所述第二區段之間。

15.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括：

器件連接結構，將所述第一開關器件的所述電極結構中的一個電極結構與所述第二開關器件的所述電極結構中的一個電極結構電連接，并且被布置在所述第一表面與所述半導體部分的相對的第二表面之間。

16.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述第一開關器件和所述第二開關器件被配置為半橋電路。

17.一種制造集成電路的方法，所述方法包括：

在基部襯底的處理表面上生長外延層；

通過應用于所述外延層的暴露的第一表面的處理，在所述外延層中提供第一晶體管單元，每個第一晶體管單元包括第一柵極電極；

通過應用于與所述第一表面相對的表面的處理，提供第二晶體管單元，每個第二晶體管單元包括第二柵極電極。

18.根據權利要求17所述的方法，進一步包括：

在提供所述第一晶體管單元之后并且在提供所述第二晶體單元之前，去除所述基部襯底的至少一部分。