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[發明專利]薄膜倒裝芯片封裝結構及其可撓性線路載板有效

專利信息
申請號: 201410402892.8 申請日: 2014-08-15
公開(公告)號: CN105321895B 公開(公告)日: 2018-04-13
發明(設計)人: 林士熙 申請(專利權)人: 南茂科技股份有限公司
主分類號: H01L23/31 分類號: H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100 代理人: 徐潔晶
地址: 中國臺灣新竹縣*** 國省代碼: 臺灣;71
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 薄膜 倒裝 芯片 封裝 結構 及其 可撓性 線路
【說明書】:

技術領域

發明是有關于一種封裝結構及其線路載板,且特別是有關于一種薄膜倒裝芯片封裝結構及其可撓性線路載板。

背景技術

隨著半導體技術的改良,使得液晶顯示器具有低的消耗電功率、薄型量輕、解析度高、色彩飽和度高、壽命長等優點,因而廣泛地應用在移動電話、筆記型電腦或桌上型電腦的液晶屏幕及液晶電視等與生活息息相關的電子產品。其中,顯示器的驅動芯片(driver IC)更是液晶顯示器不可或缺的重要元件。

因應液晶顯示裝置驅動芯片各種應用的需求,一般是采用卷帶自動接合(tape automatic bonding,TAB)封裝技術進行芯片封裝,其中又分成薄膜倒裝芯片(Chip-On-Film,COF)封裝及卷帶承載封裝(Tape Carrier Package,TCP)。通常而言,以卷帶自動接合方式進行芯片封裝的工藝,是首先使芯片上的凸塊與可撓性基板上的內引腳產生共晶接合而電性連接。接著,于芯片與可撓性基板之間形成封裝膠體,借以保護凸塊與內引腳之間的電性接點。

通常而言,薄膜倒裝芯片封裝的封裝膠體是以點膠(potting)的方式形成于封裝基材上,以填充于芯片與封裝基材之間以及芯片的四周。在以點膠針頭繞行芯片的周邊以將封裝膠體注入時,封裝膠體130會借由毛細現象而自芯片的周邊往內部延伸而填滿芯片與封裝基材之間所構成的空間,其中為使封裝膠能順利流動,未固化的封裝膠體具有相當程度的流動性。然而,基于封裝膠體的流動性,使其亦會朝向遠離芯片的方向流動,進而造成封裝膠體的涂布范圍(potting area)的管控不易,較難符合一些特殊設計規范。

另一方面,由于薄膜倒裝芯片封裝結構之后會做彎折以進行后續的應用,因應部分產品設計的要求,例如指紋辨識傳感器等,其彎折的位置非常靠近芯片,而固化后的封裝膠體會阻礙可撓性基板的彎折,故封裝膠體的涂布范圍有逐漸縮減的趨勢。然而,基于封裝膠體的流動性,使封裝膠體涂布范圍(potting area)的管控不易,以至于涂布范圍無法有效縮減,而難以符合產品設計的要求。

發明內容

本發明提供一種薄膜倒裝芯片封裝結構及其可撓性線路載板,其可符合縮減封裝膠體的涂布范圍的設計趨勢,并可使涂布范圍落在容許公差值內。

本發明提出一種薄膜倒裝芯片封裝結構,其包括可撓性線路載板、芯片以及封裝膠體。可撓性線路載板包括可撓性基材、圖案化線路層以及擋止材料。可撓性基材具有表面以及位于前述表面的芯片接合區與溝渠,且溝渠環繞于芯片接合區之外。圖案化線路層配置于前述表面上。擋止材料填充于溝渠中。芯片配置于可撓性基材上且位于芯片接合區內,并與圖案化線路層電性連接。封裝膠體形成于芯片與可撓性基材之間以及芯片的四周,其中封裝膠體與擋止材料接觸,且封裝膠體的側緣位于擋止材料上。

本發明提出一種可撓性線路載板,其包括可撓性基材、圖案化線路層以及擋止材料。可撓性基材具有表面以及位于前述表面的芯片接合區與溝渠,且溝渠環繞于芯片接合區之外。圖案化線路層配置于前述表面上。擋止材料填充于溝渠中。

在本發明的一實施例中,上述的溝渠具有內緣與外緣。封裝膠體的側緣位于內緣與外緣之間。

在本發明的一實施例中,上述的溝渠的外緣與相鄰的芯片的側緣之間的最短距離介于100微米與800微米之間。

在本發明的一實施例中,上述的溝渠的寬度介于10微米與50微米之間。

在本發明的一實施例中,上述的擋止材料暴露于溝渠的上表面與可撓性基材的表面為共平面。

在本發明的一實施例中,上述的可撓性線路載板更包括防焊層。防焊層配置于可撓性基材上,局部覆蓋圖案化線路層并定義出開窗區,其中芯片接合區與溝渠位于開窗區內。

在本發明的一實施例中,上述的擋止材料的材質與防焊層的材質相同。

在本發明的一實施例中,上述的圖案化線路層包括多個引腳。各個引腳包括內引腳與連接前述內引腳之外引腳。內引腳通過擋止材料以延伸至芯片接合區內,而與芯片電性連接。

在本發明的一實施例中,上述的擋止材料包括防焊油墨、干膜防焊油墨(Dry Film Solder Mask,DFSM)或液態感光型防焊油墨。

在本發明的一實施例中,上述的溝渠的外緣與相鄰的芯片接合區的側緣之間的最短距離介于100微米與800微米之間。

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