[發(fā)明專利]放射線攝像裝置和放射線攝像顯示系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410398317.5
• 申請日: 2014-08-13
• 公開（公告）號: CN104425530B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山田泰弘
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

本發(fā)明提供了放射線攝像裝置和設(shè)置有該放射線攝像裝置的放射線攝像顯示系統(tǒng)，它們能夠抑制漏電流、提高元件的壽命且實現(xiàn)高的可靠性。該放射線攝像裝置包括：多個像素，所述多個像素中的各者被構(gòu)造成生成基于放射線的信號電荷；以及場效應(yīng)晶體管，所述場效應(yīng)晶體管用于從所述多個像素中的各者讀取所述信號電荷。在該放射線攝像裝置中，所述場效應(yīng)晶體管包括：半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括活性層和被形成為毗鄰所述活性層的低濃度雜質(zhì)層；以及第一柵極電極和第二柵極電極，它們被設(shè)置成彼此面對，且所述活性層介于它們兩者之間。而且，所述第一柵極電極和所述第二柵極電極中的至少一者被設(shè)置于不面對所述低濃度雜質(zhì)層的區(qū)域中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及適用于例如用于醫(yī)學(xué)應(yīng)用和非破壞性檢查的X射線攝影的放射線攝像裝置，并且涉及使用這樣的放射線攝像裝置的放射線攝像顯示系統(tǒng)。

背景技術(shù)

人們已經(jīng)提出了一種例如基于諸如X射線等放射線來獲取圖像信號的放射線攝像裝置(例如，參見日本未經(jīng)審查的專利申請公開第2008-252074號和第2004-265935號)。

在上述放射線攝像裝置中，薄膜晶體管(TFT：thin film transistor)被用作如下的開關(guān)元件：該開關(guān)元件被設(shè)置成從各像素讀取基于放射線的信號電荷。所期望的是，在這樣的晶體管中實現(xiàn)針對于放射線而言極其可靠的元件結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

目前期望提供一種能夠提高可靠性的放射線攝像裝置，以及一種包括這樣的放射線攝像裝置的放射線攝像顯示系統(tǒng)。

根據(jù)本發(fā)明的實施方案而提供了一種放射線攝像裝置，所述放射線攝像裝置包括：多個像素，所述多個像素中的各者被構(gòu)造成生成基于放射線的信號電荷；以及場效應(yīng)晶體管，所述場效應(yīng)晶體管用于從所述多個像素中的各者讀取所述信號電荷。這里，所述場效應(yīng)晶體管包括：半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括活性層和被形成為毗鄰所述活性層的低濃度雜質(zhì)層；以及第一柵極電極和第二柵極電極，它們兩者被設(shè)置成彼此面對，且所述活性層介于它們兩者之間。而且，所述第一柵極電極和所述第二柵極電極中的至少一者被設(shè)置于不面對所述低濃度雜質(zhì)層的區(qū)域中。

根據(jù)本發(fā)明的實施方案而提供了一種放射線攝像顯示系統(tǒng)，所述放射線攝像顯示系統(tǒng)包括：放射線攝像裝置；以及顯示器，所述顯示器被構(gòu)造成執(zhí)行基于由所述放射線攝像裝置獲得的攝像信號的圖像顯示。這里，所述放射線攝像裝置包括：多個像素，所述多個像素中的各者被構(gòu)造成生成基于放射線的信號電荷；以及場效應(yīng)晶體管，所述場效應(yīng)晶體管用于從所述多個像素中的各者讀取所述信號電荷。此外，所述場效應(yīng)晶體管包括：半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括活性層和被形成為毗鄰所述活性層的低濃度雜質(zhì)層；以及第一柵極電極和第二柵極電極，它們兩者被設(shè)置成彼此面對，且所述活性層介于它們兩者之間。而且，所述第一柵極電極和所述第二柵極電極中的至少一者被設(shè)置于不面對所述低濃度雜質(zhì)層的區(qū)域中。

在根據(jù)本發(fā)明上述各實施方案的放射線攝像裝置和放射線攝像顯示系統(tǒng)中，在用于從各像素讀取信號電荷的場效應(yīng)晶體管中，第一柵極電極和第二柵極電極被設(shè)置成彼此面對且活性層介于它們兩者之間。而且，第一柵極電極和第二柵極電極中的至少一者被設(shè)置于不面對低濃度雜質(zhì)層的區(qū)域中。因此，抑制了在所述晶體管的截止時間出現(xiàn)的漏電流，并且提高了元件的壽命。

根據(jù)本發(fā)明上述各實施方案的放射線攝像裝置和放射線攝像顯示系統(tǒng)，在用于從各像素讀取信號電荷的場效應(yīng)晶體管中，第一柵極電極和第二柵極電極被設(shè)置成彼此面對且活性層介于它們兩者之間。而且，第一柵極電極和第二柵極電極中的至少一者被設(shè)置于不面對低濃度雜質(zhì)層的區(qū)域中。因此，就使得能夠提高元件的壽命。于是，就使得能夠增加可靠性。

需要理解的是，前面的一般說明和下面的詳細說明都僅是示例性的，且旨在提供對本發(fā)明所要求保護的技術(shù)的進一步說明。

附圖說明