[發(fā)明專利]放射線攝像裝置和放射線攝像顯示系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410398317.5 | 申請日: | 2014-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN104425530B | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山田泰弘 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼半導(dǎo)體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 放射線 攝像 裝置 顯示 系統(tǒng) | ||
1.一種放射線攝像裝置,其包括:
多個(gè)像素,所述多個(gè)像素中的各者被構(gòu)造成生成基于放射線的信號電荷;以及
場效應(yīng)晶體管,所述場效應(yīng)晶體管用于從所述多個(gè)像素中的各者讀取所述信號電荷,
其中所述場效應(yīng)晶體管包括:
半導(dǎo)體層,所述半導(dǎo)體層包括活性層和被形成為毗鄰所述活性層的低濃度雜質(zhì)層;以及
第一柵極電極和第二柵極電極,它們兩者被設(shè)置成彼此面對,且所述活性層介于它們兩者之間,并且
所述第一柵極電極和所述第二柵極電極二者都被設(shè)置于不面對所述低濃度雜質(zhì)層的區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝像裝置,其中
所述場效應(yīng)晶體管還包括第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜,
所述第一柵極電極、所述第一柵極絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述第二柵極絕緣膜和所述第二柵極電極從基板側(cè)依次設(shè)置著,并且
所述第一柵極電極的寬度小于所述第二柵極電極的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的放射線攝像裝置,其中所述第二柵極電極被設(shè)置成面對所述活性層,且所述第二柵極電極的寬度與所述活性層的寬度大體上相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的放射線攝像裝置,其中所述第二柵極絕緣膜的厚度大于所述第一柵極絕緣膜的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的放射線攝像裝置,其中所述第一柵極電極被設(shè)置于不面對所述低濃度雜質(zhì)層的所述區(qū)域中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝像裝置,其中所述第一柵極電極和所述第二柵極電極兩者都被設(shè)置于不面對所述低濃度雜質(zhì)層的所述區(qū)域中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝像裝置,其中所述第一柵極電極和所述第二柵極電極被形成于像素部和周邊電路部之中的所述像素部中,所述像素部具有所述多個(gè)像素,并且所述周邊電路部處于所述像素部的周邊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝像裝置,其中所述低濃度雜質(zhì)層在具有所述多個(gè)像素的像素部中的雜質(zhì)濃度高于在處于所述像素部的周邊的周邊電路部中的雜質(zhì)濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝像裝置,其中
所述活性層的兩個(gè)端部被構(gòu)造成分別與源極電極和漏極電極電連接,并且
所述低濃度雜質(zhì)層被形成為毗鄰所述活性層的所述兩個(gè)端部中的至少一者。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝像裝置,其中所述半導(dǎo)體層包括非晶硅、多晶硅和微晶硅中的任一者。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的放射線攝像裝置,其中所述半導(dǎo)體層包括低溫多晶硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的放射線攝像裝置,其還包括波長轉(zhuǎn)換層,所述波長轉(zhuǎn)換層被設(shè)置于所述多個(gè)像素的光入射側(cè),
其中所述多個(gè)像素中的各者包括光電轉(zhuǎn)換元件,并且
所述波長轉(zhuǎn)換層被構(gòu)造成將所述放射線轉(zhuǎn)換成在所述光電轉(zhuǎn)換元件的敏感范圍內(nèi)的波長。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的放射線攝像裝置,其中所述多個(gè)像素中的各者包括轉(zhuǎn)換層,所述轉(zhuǎn)換層被構(gòu)造成通過吸收所述放射線來生成所述信號電荷。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)至所述的放射線攝像裝置,其中所述放射線包括X射線。
15.一種放射線攝像顯示系統(tǒng),其包括:
權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的放射線攝像裝置;以及
顯示器,所述顯示器被構(gòu)造成執(zhí)行基于由所述放射線攝像裝置獲得的攝像信號的圖像顯示。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





