[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410393695.4
• 申請(qǐng)日: 2014-08-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104377200B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森井勝巳;大津良孝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/092
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

本發(fā)明公開(kāi)了半導(dǎo)體器件及其制造方法。形成從半導(dǎo)體襯底的主表面在半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部延伸的第一凹部。在主表面之上、第一凹部的側(cè)壁和底壁之上形成絕緣膜，以便覆蓋元件并且在第一凹部?jī)?nèi)形成帶蓋的中空。在絕緣膜內(nèi)形成第一孔部分，以便從絕緣膜的上表面到達(dá)第一凹部?jī)?nèi)的中空，并且到達(dá)第一凹部的底壁上的半導(dǎo)體襯底，而保留第一凹部的側(cè)壁之上的絕緣膜。形成從絕緣膜的上表面到達(dá)導(dǎo)電部分的第二孔部分。以相同的蝕刻處理形成第一孔部分和第二孔部分。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

通過(guò)引用將提交于2013年8月12日的日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2013-167690的公開(kāi)完整結(jié)合在此，包括其說(shuō)明書(shū)、附圖和摘要。

背景技術(shù)

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，并且具體地涉及具有凹部的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

相關(guān)技術(shù)的描述

在半導(dǎo)體襯底的彼此相對(duì)的一對(duì)主表面的一個(gè)(上側(cè))主表面?zhèn)壬希梢孕纬捎糜谌〉蒙鲜鲋鞅砻鎸?duì)的另一個(gè)(下側(cè))主表面?zhèn)鹊碾娢坏纳畈?凹部)。這種用于提取半導(dǎo)體襯底的電位的深凹部可被稱(chēng)為襯底電極或者襯底接觸件。例如，在日本專(zhuān)利待審公開(kāi)No.2008-130829(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)、國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)No.2008-511981的國(guó)家公布(專(zhuān)利文獻(xiàn)2)、日本專(zhuān)利待審公開(kāi)No.05-29603(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)、日本專(zhuān)利待審公開(kāi)No.62-213121(專(zhuān)利文獻(xiàn)4)和日本專(zhuān)利待審公開(kāi)No.2003-218356(專(zhuān)利文獻(xiàn)5)中公開(kāi)了上述襯底電極。

此外，例如，在日本專(zhuān)利待審公開(kāi)No.11-45890(專(zhuān)利文獻(xiàn)6)中，公開(kāi)了出于將形成在半導(dǎo)體襯底上的元件與半導(dǎo)體襯底上的其它區(qū)域電分離的目的，在半導(dǎo)體襯底的主表面對(duì)的一個(gè)(上側(cè))主表面內(nèi)以深凹部形成器件隔離凹部的技術(shù)。

為了形成上述專(zhuān)利文件中所示的深凹部，在很多情況下需要長(zhǎng)時(shí)間熱處理，并且制造成本會(huì)增加。

另外，除了在形成半導(dǎo)體器件時(shí)形成上述深凹部的處理之外，通常可能需要，例如，在半導(dǎo)體襯底的上述一個(gè)主表面?zhèn)壬闲纬捎糜趶陌雽?dǎo)體器件拉出電極的凹部的處理，所述凹部比上述的深凹部淺。在所有上述專(zhuān)利文件中，形成深凹部的處理和形成淺凹部的處理被作為分開(kāi)的處理進(jìn)行處理。在這種情況下，因?yàn)樘幚碜兊脧?fù)雜，并且形成所述凹部所需的掩模的數(shù)目增加，制造成本會(huì)上升。

從本說(shuō)明書(shū)的描述和附圖將明了其它目的和新的特征。

發(fā)明內(nèi)容

一種用于制造一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法包括下面的處理。首先，形成元件，該元件具有位于半導(dǎo)體襯底的主表面處的導(dǎo)電部分。形成從上述主表面在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部延伸的第一凹部。在所述主表面之上、所述第一凹部的側(cè)壁和底壁之上形成絕緣膜，以便覆蓋上述元件，并在所述第一凹部?jī)?nèi)形成帶蓋的中空(capped hollow)。在所述絕緣膜內(nèi)形成第一孔部分，以便從上述絕緣膜的上表面到達(dá)所述第一凹部?jī)?nèi)的所述中空，并且到達(dá)所述第一凹部的底壁上的半導(dǎo)體襯底，而保留所述第一凹部的側(cè)壁之上的絕緣膜。形成從上述絕緣膜的上表面到達(dá)所述導(dǎo)電部分的第二孔部分。以相同的蝕刻處理形成上述第一孔部分和第二孔部分。

另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括下面的配置。上述半導(dǎo)體器件包括:具有第一凹部的半導(dǎo)體襯底；具有導(dǎo)電區(qū)域的元件；和絕緣膜，該絕緣膜被形成在主表面之上以便覆蓋所述元件，并且被形成為暴露所述第一凹部的第一底壁上的半導(dǎo)體襯底。形成從所述絕緣膜的上表面通過(guò)所述第一凹部的內(nèi)部到達(dá)所述第一凹部的底壁的第一孔部分，并形成從所述絕緣膜的上表面到達(dá)所述導(dǎo)電區(qū)域的第二孔部分。所述半導(dǎo)體器件包括:形成在所述第一孔部分內(nèi)的第一導(dǎo)電層；和形成在所述第二孔部分內(nèi)的第二導(dǎo)電層。所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層包括相同的材料。

根據(jù)關(guān)于一個(gè)實(shí)施例和另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法，可以通過(guò)減少的處理次數(shù)、處理時(shí)間和制造成本，提供具有第一凹部的半導(dǎo)體器件。

附圖說(shuō)明

圖1是示出了第一實(shí)施例中的芯片狀態(tài)下的半導(dǎo)體器件的配置的示意平面圖；