[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410393695.4
• 申請日: 2014-08-12
• 公開（公告）號: CN104377200B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 森井勝巳;大津良孝
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種用于制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

形成元件，所述元件具有位于半導體襯底的主表面上的導電部分；

形成第一凹部，所述第一凹部從所述主表面在所述半導體襯底內部延伸；

在所述主表面之上以及在所述第一凹部的側壁和底壁之上形成絕緣膜，以便覆蓋所述元件并且在所述第一凹部內形成帶蓋的中空；

在所述絕緣膜內形成第一孔部分，以便從所述絕緣膜的上表面到達所述第一凹部內的所述中空，并且到達所述第一凹部的底壁內的半導體襯底，而保留所述第一凹部的側壁之上的所述絕緣膜；和

形成第二孔部分，所述第二孔部分從所述絕緣膜的上表面到達所述導電部分，

其中以同一蝕刻處理過程形成所述第一孔部分和所述第二孔部分。

2.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

在所述第一孔部分內形成第一導電層以便電耦接到所述半導體襯底；和

在所述第二孔部分內形成第二導電層以便電耦接到所述導電部分，

其中以同一成膜處理過程形成所述第一導電層和所述第二導電層。

3.根據權利要求2所述的用于制造半導體器件的方法，

其中將所述第一導電層形成為漏電極，所述漏電極電耦接到所述元件的漏區。

4.根據權利要求2所述的用于制造半導體器件的方法，

其中所述半導體襯底具有彼此分開地定位的第一元件形成區域和第二元件形成區域，以及定位在所述第一元件形成區域和所述第二元件形成區域之間的第一活性勢壘區域，

該方法還包括以下步驟：

在所述半導體襯底內形成第一導電類型的第一區域，以便從所述第一元件形成區域通過所述活性勢壘區域至少延伸到所述第二元件形成區域；

在所述活性勢壘區域的主表面上形成第二導電類型的第二區域，以便與包括所述第一區域的第一導電類型區域構成p-n結；和

形成定位在所述主表面之上并且將所述第一導電層電耦接到所述第二區域的耦接導電層，并且

其中所述第一導電層被形成為到達所述活性勢壘區域內的所述第一區域。

5.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

在所述半導體襯底內形成第一導電類型的襯底區域；和

形成位于比所述襯底區域更靠近所述主表面的第二導電類型的隱埋區域，

其中形成所述第一凹部以便穿過所述隱埋區域，從而到達所述襯底區域，并且

其中所述隱埋區域被形成在所述半導體襯底在平面圖中的整個表面上。

6.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，還包括形成從所述主表面在所述半導體襯底內部延伸的第二凹部的步驟，

其中在所述第二凹部的側壁和底壁之上形成所述絕緣膜，以便在所述第二凹部內形成帶蓋的中空，并且

其中以相同的蝕刻處理形成所述第一凹部和所述第二凹部。

7.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有主表面，并且具有形成為從所述主表面延伸到內部的第一凹部；

元件，所述元件具有位于所述半導體襯底的所述主表面上的導電區域；和

絕緣膜，所述絕緣膜被形成在所述主表面之上以便覆蓋所述元件，還被形成在所述第一凹部內的所述第一凹部的側壁之上，并且從而被形成為暴露所述第一凹部的底壁內的所述半導體襯底，

其中形成有第一孔部分，所述第一孔部分從所述絕緣膜的上表面通過所述第一凹部的內部到達所述第一凹部的所述底壁，并且形成有第二孔部分，所述第二孔部分從所述絕緣膜的所述上表面到達所述導電區域，

所述半導體器件還包括：

在所述第一孔部分內形成的第一導電層；和

在所述第二孔部分內形成的第二導電層，并且

其中所述第一導電層和第二導電層包括相同的材料。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中所述第一導電層形成為漏電極，所述漏電極電耦接到所述元件的漏區。