[發(fā)明專利]顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410393640.3
• 申請日: 2014-08-12
• 公開（公告）號: CN105336871A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈義和;莊耿介
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種顯示面板，尤指一種改善薄膜晶體管單元作動穩(wěn)定性的顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示器技術(shù)不斷進(jìn)步，用戶對于電子產(chǎn)品的要求越來越高，所有的裝置均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發(fā)展，故目前市面上主流的顯示器裝置已由以往的陰極射線管發(fā)展成液晶顯示設(shè)備(LCD)或有機(jī)發(fā)光二極管裝置(OLED)。

在LCD或OLED中，由于薄膜晶體管單元(TFT)的主動層材料的能隙一般與紫外光(UV)、藍(lán)光相近，因此，TFT對于紫外光及藍(lán)光十分敏感，在紫外光或藍(lán)光照射下(例如在工藝中照射紫外光或藍(lán)光、或來自外在環(huán)境的紫外光或藍(lán)光)，TFT中會產(chǎn)生額外的電子電洞對(electronholepair)，造成TFT中的載子通道(channel)上包含額外的載子(carrier)，進(jìn)而造成TFT電性偏移，例如柵極電壓(Vth)負(fù)偏、漏電流上升等；更使OLED在暗態(tài)操作時會有漏光現(xiàn)象、或移位寄存器(ShiftRegister，S/R)、資料多工器(DataMux)及其他驅(qū)動電路無法正常運作等問題。

有鑒于此，目前亟需發(fā)展一種改善上述問題的顯示面板，提升顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量并延長其使用壽命，期盼帶給消費者更穩(wěn)定、更高質(zhì)量的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是在提供一種顯示面板，能減少顯示設(shè)備中的薄膜晶體管單元受到紫外光或藍(lán)光影響，進(jìn)而有效提升顯示設(shè)備的穩(wěn)定性及顯示質(zhì)量。

為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種顯示面板，包括：一基板；一薄膜晶體管單元，是設(shè)置于該基板上，且該薄膜晶體管單元包括：一柵極電極及一半導(dǎo)體層，其中該半導(dǎo)體層包含一載子通道區(qū)，且該柵極電極是對應(yīng)該載子通道區(qū)設(shè)置；一第一金屬氧化層，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上且覆蓋該載子通道區(qū)；以及一包含氧化硅(SiO_x)或三氧化二鋁(Al₂O₃)的隔離層，該隔離層是設(shè)置于該半導(dǎo)體層與該第一金屬氧化層之間；其中，波長范圍介于210nm至350nm間的光線通過該第一金屬氧化層的穿透率為50％以下。

據(jù)此，本發(fā)明利用該第一金屬氧化層吸收短波長光線(例如在工藝中照射紫外光或藍(lán)光、或來自外在環(huán)境的紫外光或藍(lán)光)，有效減少短波長光線接觸到薄膜晶體管單元的半導(dǎo)體層，進(jìn)而減少薄膜晶體管單元的電性偏移，并改善顯示設(shè)備在暗態(tài)操作時的漏光現(xiàn)象、或移位寄存器、資料多工器及其他驅(qū)動電路無法正常運作等問題，因此，本發(fā)明的顯示面板可提供更穩(wěn)定、更高質(zhì)量的顯示效果。

附圖說明

為進(jìn)一步說明本發(fā)明的具體技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實施例及附圖詳細(xì)說明如后，其中：

圖1是本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管單元示意圖。

圖2是本發(fā)明另一較佳實施例的薄膜晶體管單元示意圖。

圖3是本發(fā)明再一較佳實施例的薄膜晶體管單元示意圖。

圖4A是本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管單元的分解圖。

圖4B是本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管單元的俯視圖。

具體實施方式

以下是通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟習(xí)此技術(shù)的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明亦可通過其他不同的具體實施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)亦可針對不同觀點與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。

實施例1

請參照圖1，本發(fā)明的顯示面板包括：一基板1；一薄膜晶體管單元，是設(shè)置于該基板1上，且該薄膜晶體管單元包括：一柵極電極21、一半導(dǎo)體層22及一絕緣層26，其中該半導(dǎo)體層22包含一載子通道區(qū)221，且該柵極電極21是對應(yīng)該載子通道區(qū)221設(shè)置；一第一金屬氧化層32，設(shè)置于該半導(dǎo)體層22上且覆蓋該載子通道區(qū)221；以及一包含氧化硅(SiO_x)或三氧化二鋁(Al₂O₃)的隔離層31，該隔離層31是設(shè)置于該半導(dǎo)體層22與該第一金屬氧化層32之間，其中，波長范圍介于210nm至350nm間的光線通過該第一金屬氧化層32的穿透率為50％以下。