[發明專利]顯示面板

在審

• 申請號: 201410393640.3
• 申請日: 2014-08-12
• 公開（公告）號: CN105336871A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 沈義和;莊耿介
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種顯示面板，包括：

一基板；

一薄膜晶體管單元，設置于該基板上，且該薄膜晶體管單元包括一柵極電極及一半導體層，其中該半導體層包含一載子通道區，且該柵極電極對應該載子通道區設置；

一第一金屬氧化層，設置于該半導體層上且覆蓋該載子通道區；以及

一包含氧化硅或三氧化二鋁的隔離層，該隔離層設置于該半導體層與該第一金屬氧化層之間；

其中，波長范圍介于210nm至350nm間的光線通過該第一金屬氧化層的穿透率為50％以下。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其中，該隔離層的面積大于或等于該第一金屬氧化層的面積。

3.如權利要求1所述的顯示面板，其中，該第一金屬氧化層的成份為氧化鈦、氧化鉬、氧化鋅、氧化銦、氧化鎢、氧化鎂、氧化鈣、氧化錫、氧化鎵、氧化銦鎵鋅或氧化鋁。

4.如權利要求1所述的顯示面板，其中，該第一金屬氧化層的厚度為30nm至100nm。

5.如權利要求1所述的顯示面板，其中，該隔離層的厚度為5nm至20nm。

6.如權利要求1所述的顯示面板，其中，該薄膜晶體管單元是一上柵極式薄膜晶體管單元或一下柵極式薄膜晶體管單元。

7.如權利要求1所述的顯示面板，其中，該薄膜晶體管單元還包括一源極電極與一漏極電極，該源極電極與該漏極電極設置于該半導體層上方，該第一金屬氧化層設置于該半導體層以及該源極電極與該漏極電極之間。

8.如權利要求7所述的顯示面板，其中還包含一第二金屬氧化層，該第二金屬氧化層設置于該源極電極與該漏極電極上方并覆蓋該源極電極與該漏極電極。

9.如權利要求1所述的顯示面板，其中，該薄膜晶體管單元還包括一源極電極與一漏極電極，該第一金屬氧化層設置于該源極電極與該漏極電極上方并覆蓋該源極電極與該漏極電極。

10.如權利要求1所述的顯示面板，其中，該第一金屬氧化層包覆該半導體層的一側壁。