[發明專利]消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法

有效

• 申請號: 201410392472.6
• 申請日: 2014-08-11
• 公開（公告）號: CN104198766B
• 公開（公告）日: 2016-11-09
• 發明（設計）人: 王曉琦;金旭;李建明;孫亮;吳松濤
• 申請（專利權）人: 中國石油天然氣股份有限公司
• 主分類號: G01Q30/02
• 分類號: G01Q30/02;G01Q30/04;G01Q30/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯

1.一種消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，包括：

獲取多孔介質薄片；

將所述多孔介質薄片在加熱的景深消除劑中加壓浸泡，得到具流體景深消除劑填充層的多孔介質薄片；

對所述具流體景深消除劑填充層的多孔介質薄片進行處理，得到具固體景深消除劑填充層的多孔介質薄片；

對所述具固體景深消除劑填充層的多孔介質薄片進行聚焦離子束掃描電鏡成像。

2.如權利要求1所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，獲取多孔介質薄片，包括：

對多孔介質材料進行加工得到所述多孔介質薄片，所述多孔介質材料內部有微納米空隙結構。

3.如權利要求1所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，對所述具流體景深消除劑填充層的多孔介質薄片進行處理，得到具固體景深消除劑填充層的多孔介質薄片，包括：

通過冷凍干燥或固化的方式對所述具流體景深消除劑填充層的多孔介質薄片進行處理，得到具固體景深消除劑填充層的多孔介質薄片。

4.如權利要求1所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，所述景深消除劑是熔點大于35度的飽和烴類純凈物、熔點大于35度的烴類混合物或者是在預設條件下發生固化的膠粘劑。

5.如權利要求1所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，將所述多孔介質薄片在加熱的景深消除劑中加壓浸泡時，加壓的壓力值范圍是0兆帕至40兆帕。

6.如權利要求1所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，所述多孔介質薄片的厚度范圍是0.1厘米至2厘米，直徑小于12厘米。

7.如權利要求1至6任一項所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，所述具流體景深消除劑填充層的多孔介質薄片表層100微米內完全填充加熱的景深消除劑。

8.如權利要求1至6任一項所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，對所述具固體景深消除劑填充層的多孔介質薄片進行聚焦離子束掃描電鏡成像，包括：

選擇小于等于30千伏的離子束加速電壓和小于等于0.79納安的束流的離子束進行離子刻蝕獲得截面，并采用電子束及背散射探頭對所述具固體景深消除劑填充層的多孔介質薄片進行聚焦離子束掃描電鏡成像。

9.如權利要求1至6任一項所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，對所述具固體景深消除劑填充層的多孔介質薄片進行聚焦離子束掃描電鏡成像，包括：

將所述具固體景深消除劑填充層的多孔介質薄片制備成掃描電鏡樣品；

獲得所述掃描電鏡樣品的截面，對所述截面進行聚焦離子束掃描電鏡成像。

10.如權利要求9所述消除聚焦離子束掃描電鏡成像時的景深假像的方法，其特征在于，獲得所述掃描電鏡樣品的截面，包括：通過聚焦離子束掃描電鏡刻蝕或離子束截面拋光的方式獲得所述掃描電鏡樣品的截面。