[發明專利]一種筆記本電腦用柔性線路板屏蔽膜壓合工藝

在審

• 申請號: 201410392048.1
• 申請日: 2014-08-11
• 公開（公告）號: CN104254209A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發明（設計）人: 趙桂萍;張子云;廖偉
• 申請（專利權）人: 昆山圓裕電子科技有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

【技術領域】

本發明屬于柔性線路板制作技術領域，更具體地說，涉及筆記本電腦用柔性線路板屏蔽膜壓合工藝。

【背景技術】

隨著對筆記本風扇運行穩定的高要求，屏蔽層(銀箔)與柔性電路板的接觸點要求導通阻值越來越低，且每個接觸點(單個pad)接觸阻值都需要穩定。比較嚴苛的要求每個接觸點小于1.0Ω。目前的工藝方法一般存在以下缺陷：單獨才有快壓機壓合，在壓合過程中淋漓膜(TPX)加厚可以做到銀箔與柔性電路板PAD接觸面積變大，但不能整面接觸，主要是采用此方式作業因覆蓋膜高低差，氣體不能完全排出。或者單獨采用真空快壓機壓合，在抽真空時，由于銀箔與柔性電路板處于分開狀態，在覆膜高低差處容易皺褶，造成銀箔與柔性電路板PAD接觸面積變小。采用以上兩種方法都會造成接觸點阻值過高，達不到要求。

因此，有必要提供一種新型壓合工藝來解決上述問題。

【發明內容】

本發明所要解決的技術問題是，提供一種筆記本電腦用柔性線路板屏蔽膜壓合工藝，解決現有成型工藝中銀箔層與柔性電路板壓合不好，電阻過大的問題。

為解決上述技術問題，本發明采用如下壓合工藝，包括以下步驟。

(1)第一壓合步驟：在覆膜層上依次蓋有一層待壓合銀箔層、一層阻膠膜、一層耐熱耐壓的墊材硅膠墊，通過快壓機對所述銀箔片和柔性電路板、覆膜層進行壓合。

(2)取下硅膠墊5，準備下一壓合步驟。

(3)第二壓合步驟：除硅膠墊的半成品上覆蓋一層真空氣囊，通過真空快壓機對所述銀箔片和柔性電路板、覆膜層進行壓合。

進一步的，所述第一壓合步驟中壓合溫度介于80℃至100℃之間，壓力介于10公斤/平方厘米至15公斤/平方厘米之間。

進一步的，所述第一壓合步驟中使用的墊材為硅膠墊。

進一步的，所述硅膠墊具有的良好填充性。

進一步的，在所述第二壓合步驟中使用的墊材為真空氣囊。

進一步的，所述第二壓合步驟中空間真空度為150Pa以下。

本發明的有益效果是：本發明的柔性電路板屏蔽工藝通過快壓機、真空快壓機兩次壓合，使銀箔層與柔性電路板接觸面積大，壓合后銀箔單點阻值小于1.0Ω。

【附圖說明】

圖1為本發明的第一壓合步驟產品狀態示意圖

圖2為本發明的第二壓合步驟產品狀態示意圖

圖3為本發明的第二壓合步驟完成后產品成品示意圖

圖中：1、柔性電路板；2、覆膜層；3、銀箔層；4、阻膠膜；5、硅膠墊；6、真空氣囊。

【具體實施方式】

下面結合具體實施例對本發明做進一步進行描述。

如圖1、2所示，一種筆記本電腦用柔性線路板屏蔽膜壓合工藝，包括如下所述步驟：

參見圖1，在第一壓合步驟中，待壓合柔性電路板1上已附有覆膜層2，在覆膜層2上依次蓋有一層待壓合銀箔層3、一層阻膠膜4、一層耐熱耐壓的墊材硅膠墊5，通過快壓機對所述銀箔片3和柔性電路板1、覆膜層2進行壓合，其中第一壓合步驟工藝溫度介于80℃至100℃之間，壓力介于10公斤/平方厘米至15公斤/平方厘米之間。硅膠墊5(軟墊材)的良好填充性，使銀箔層3先填充到覆膜高低差處，并使銀箔與覆蓋膜表面粘結。

取下硅膠墊5后，為下述第二壓合步驟做好準備。

參見圖2，在第二壓合步驟中，在去除硅膠墊5的半成品上覆蓋一層真空氣囊6，通過真空快壓機對所述銀箔片3和柔性電路板1、覆膜層2進行壓合，使空間的真空度抽離為150Pa以下。由于銀箔層3已經在經過快壓與覆膜層2黏結，故不會再將銀箔拉到覆蓋膜高低差處造成銀箔皺褶。從而使銀箔層3與柔性電路板1接觸面積最大，通過真空快壓的再次壓合作業中會將尖點導電粒子壓倒，增加實際接觸面積，接觸面積達到90％以上。

在具體實現時，在所述第二壓合步驟之前還可以包括以下步驟：第一壓合步驟后的阻膠膜4是否缺損，如是則對阻膠膜4進行更換，否則，執行所述第二壓合步驟。

對于多層以上的柔性電路板重復以上步驟即可。

銀箔與柔性電路板接觸阻值是靠導電粒子并聯來減小，通過本發明實施的工藝，銀箔層3與柔性電路板1接觸面積大。按照導電粒子為銅計算接觸面積100％(阻值約0.06Ω)與10％(阻值約3Ω)阻值差異比較，通過本工藝使用快壓機和真空快壓機壓合銀箔單點阻值小于1.0Ω。

以上示意性的對本發明及其實施方式進行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本發明的實施方式之一，實際的結構并不局限于此。所以，如果本領域的普通技術人員受其啟示，在不脫離本發明創造宗旨的情況下，不經創造性的設計出與該技術方案相似的結構方式及實施例，均應屬于本發明的保護范圍。