[發明專利]一種淺溝槽隔離結構的制造方法

在審

• 申請號: 201410390796.6
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN104134628A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 鮑宇;周曉強
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

在一半導體襯底上依次形成第一硬掩膜層和第二硬掩膜層；

以第一硬掩膜層為刻蝕停止層，刻蝕所述第二硬質掩膜層形成淺溝槽圖案；

在所述第一硬掩膜層和第二硬掩膜層上形成第三硬掩膜層；

以第三硬掩膜層和第二硬掩膜層為掩膜層，刻蝕第一硬掩膜層和半導體襯底，形成淺溝槽；

對所述淺溝槽處的第一硬掩膜層和第二硬掩膜層進行硬掩膜回拉刻蝕，以增大淺溝槽的開口寬度；

在所述淺溝槽中填充絕緣介質，形成淺溝槽隔離結構。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層和第二硬掩膜層的材質不同。

3.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩膜層的厚度大于

4.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層和第三硬掩膜層的材質不同或者相同。

5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在以第三硬掩膜層和第二硬掩膜層為掩膜層，刻蝕第一硬掩膜層的步驟之前，還包括：

刻蝕第三硬掩膜層，在所述第二硬掩膜層的淺溝槽圖案側壁形成側墻。

6.如權利要求5所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在對所述淺溝槽處的第一硬掩膜層和第二硬掩膜層進行硬掩膜回拉刻蝕的步驟之前，還包括：

移除所述側墻或者保留所述側墻。

7.如權利要求5所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述側墻的寬度大于

8.如權利要求6所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層和第三硬掩膜層的材質不同時且保留所述側墻時，第三硬掩膜層的回拉速率不小于第一硬掩膜層和第二硬掩膜層；所述第一硬掩膜層和第三硬掩膜層的材質不同時且去掉側墻時，回拉刻蝕完成后，第一硬掩膜層的寬度大于第二硬掩膜層的寬度；所述第一硬掩膜層和第三硬掩膜層的材質相同時，則第三硬掩膜層的回拉速率不小于第二硬掩膜層。

9.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述回拉刻蝕時第二硬掩膜層的回拉距離大于

10.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，在所述淺溝槽中填充絕緣介質，形成淺溝槽隔離結構的步驟包括：

在所述淺溝槽中形成內襯層并填充氧化硅；

對填充后的器件結構進行化學機械平坦化，去除第二硬掩膜層上方的氧化硅和內襯層，形成淺溝槽隔離結構。