[發(fā)明專利]制造聚酰亞胺基底的方法及制造顯示裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410390615.X | 申請日: | 2014-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN104465334B | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 哈伊克·哈洽圖安;具賢祐;金善浩;金泰雄 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;譚昌馳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 聚酰亞胺 基底 方法 顯示裝置 | ||
1.一種制造聚酰亞胺基底的方法,其特征在于,所述方法包括:
將酸溶液提供到玻璃基底,以去除包括在玻璃基底中的第一陽離子;
在去除第一陽離子之后,將第二陽離子提供到通過第一陽離子的去除而在玻璃基底中形成的空位;
將包括聚酰胺酸的源溶液提供到玻璃基底;
使聚酰胺酸固化,以在玻璃基底上形成聚酰亞胺基底;以及
將聚酰亞胺基底與玻璃基底分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在玻璃基底的上表面上提供酸溶液,其中,在玻璃基底的上表面上提供聚酰胺酸,以在玻璃基底的上表面上形成聚酰亞胺基底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,聚酰亞胺基底通過第一結(jié)合力與玻璃基底結(jié)合,其中,第一陽離子與包括在源溶液中的材料之間的化學(xué)結(jié)合度因第一陽離子的去除而減小,從而使第一結(jié)合力減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,第二陽離子與包括在源溶液中的材料形成化學(xué)鍵,以在聚酰亞胺基底與玻璃基底之間產(chǎn)生鹽,
其中,第一結(jié)合力因鹽而減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,第一陽離子包括從由鋁陽離子、鋇陽離子、鍶陽離子、鈣陽離子、鐵陽離子和硼陽離子組成的組中選擇的至少一種,其中,第二陽離子包括鎂陽離子。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,用包括第二陽離子的溶液浸漬玻璃基底,從而在空位中提供第二陽離子。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,用所述溶液將玻璃基底浸漬10分鐘至60分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:在玻璃基底上形成薄膜,
其中,第二陽離子從薄膜擴散至空位。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:在去除第一陽離子之前,對玻璃基底執(zhí)行熱處理,
其中,第一陽離子因熱處理而移向玻璃基底的上表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,酸溶液包括檸檬酸。
11.一種制造顯示裝置的方法,其特征在于,所述方法包括:
在玻璃基底上形成聚酰亞胺基底;
在聚酰亞胺基底上形成多個像素;以及
將包括在其上形成的多個像素的聚酰亞胺基底與玻璃基底分離;
其中,形成聚酰亞胺基底的步驟包括:
將酸溶液提供到玻璃基底,以去除包括在玻璃基底中的第一陽離子;
在去除第一陽離子之后,將第二陽離子提供到通過第一陽離子的去除而在玻璃基底中形成的空位;
將包括聚酰胺酸的源溶液提供到玻璃基底;以及
使聚酰胺酸固化。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,在玻璃基底的上表面上提供酸溶液,其中,在玻璃基底的上表面上提供聚酰胺酸,以在玻璃基底的上表面上形成聚酰亞胺基底。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,聚酰亞胺基底通過第一結(jié)合力與玻璃基底結(jié)合,其中,第一陽離子與包括在源溶液中的材料之間的化學(xué)結(jié)合度因第一陽離子的去除而減小,從而使第一結(jié)合力減小。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中,第二陽離子與包括在源溶液中的材料形成化學(xué)鍵,以在聚酰亞胺基底與玻璃基底之間產(chǎn)生鹽,
其中,第一結(jié)合力因鹽而減小。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,第一陽離子包括從由鋁陽離子、鋇陽離子、鍶陽離子、鈣陽離子、鐵陽離子和硼陽離子組成的組中選擇的至少一種,其中,第二陽離子包括鎂陽離子。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





