[發明專利]試驗裝置、試驗方法

有效

• 申請號: 201410389845.4
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN104347355B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 岡田章;野口貴也;竹迫憲浩;山下欽也;秋山肇
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01L21/304
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

本發明的目的在于提供一種試驗裝置和試驗方法，其能夠通過簡單的方法將半導體芯片的異物去除，提高試驗的可靠性。該試驗裝置具有：異物去除部(14)，其具有第1斜面(32a)和第2斜面(32b)，在第1斜面上設置有磨料顆粒或粘接片，在第2斜面上設置有磨料顆粒或粘接片，該第2斜面以上方處與該第1斜面的距離遠，下方處與該第1斜面的距離近的方式與該第1斜面相對；試驗部16，其對半導體芯片(20)的電氣特性進行試驗；以及移動部(18)，其使該半導體芯片與該第1斜面和該第2斜面的上方接觸/分離，并將該半導體芯片向該試驗部輸送。

技術領域

本發明涉及一種在將半導體芯片的異物去除后，對半導體芯片的電氣特性進行試驗的試驗裝置及試驗方法。

背景技術

在專利文獻1中公開了通過吹送排出氣體而將附著在半導體晶片上的異物去除的技術。在專利文獻2中公開了使切割半導體晶片后所產生的異物減少的技術。該技術由于不在切割線上形成金屬電極，因此抑制因切割引起的異物產生。

專利文獻1：日本特開2010－165943號公報

專利文獻2：日本特開2008－141135號公報

有時在切割得到的半導體芯片的側面存在有異物。如果在存在有異物的情況下對半導體芯片的電氣特性進行試驗，則存在異物對試驗結果造成壞影響的問題。在該情況下，無法確保試驗的可靠性。因此，在對半導體芯片的電氣特性進行試驗之前，應預先去除半導體芯片的異物。

另外，如專利文獻1公開所示，在僅通過向異物吹送排出氣體的情況下，難以將異物去除。另外，在專利文獻2公開的技術中，由于需要從切割線去除金屬電極的工序，因此，存在成本增加的問題。

發明內容

本發明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種能夠通過簡單的方法將半導體芯片的異物去除，提高試驗的可靠性的試驗裝置和試驗方法。

本發明所涉及的試驗裝置，其特征在于，具有：異物去除部，其具有第1斜面和第2斜面，在該第1斜面上設置有磨料顆?；蛘辰悠谠摰?斜面上設置有磨料顆?；蛘辰悠?，該第2斜面以上方處與該第1斜面的距離遠，下方處與該第1斜面的距離近的方式與該第1斜面相對；試驗部，其對半導體芯片的電氣特性進行試驗；以及移動部，其使該半導體芯片與該第1斜面和該第2斜面的上方接觸/分離，并將該半導體芯片向該試驗部輸送。

本發明所涉及的試驗方法，其特征在于，具有：異物去除工序，在該工序中，使切割得到的半導體芯片的側面與設置有磨料顆?；蛘辰悠男泵娴纸樱瑢⒃摪雽w芯片的側面的異物去除；以及試驗工序，在該工序中，在該異物去除工序之后，對該半導體芯片的電氣特性進行試驗。

發明的效果

根據本發明，能夠通過簡單的方法將半導體芯片的異物去除，提高試驗的可靠性。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式1所涉及的試驗裝置的框圖。

圖2是異物去除部的主視圖。

圖3是主體部的斜視圖。

圖4是移動部的主視圖。

圖5是表示由移動部將半導體芯片拾取后的狀態的主視圖。

圖6是表示將半導體芯片移動至第1斜面和第2斜面的上方后的主視圖。

圖7是表示半導體芯片的側面與第1斜面和第2斜面抵接的主視圖。

圖8是表示利用凸起部對半導體芯片進行保持的主視圖。

圖9是表示本發明的實施方式2所涉及的異物去除部的主視圖。

圖10是表示半導體芯片的側面剛與斜面接觸后的異物去除部的主視圖。