[發(fā)明專利]試驗(yàn)裝置、試驗(yàn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410389845.4
• 申請(qǐng)日: 2014-08-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104347355B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岡田章;野口貴也;竹迫憲浩;山下欽也;秋山肇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/67;H01L21/304
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種試驗(yàn)裝置，其特征在于，具有：

異物去除部，其具有第1斜面和第2斜面，在所述第1斜面上設(shè)置有磨料顆粒或粘接片，在所述第2斜面上設(shè)置有磨料顆粒或粘接片，所述第2斜面以上方處與所述第1斜面的距離遠(yuǎn)，下方處與所述第1斜面的距離近的方式與所述第1斜面相對(duì)；

試驗(yàn)部，其對(duì)半導(dǎo)體芯片的電氣特性進(jìn)行試驗(yàn)；以及

移動(dòng)部，其使所述半導(dǎo)體芯片與所述第1斜面和所述第2斜面的上方接觸/分離，并將所述半導(dǎo)體芯片向所述試驗(yàn)部輸送。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述異物去除部具有：

主體部，其形成有所述第1斜面和所述第2斜面；

基板，其用于載置所述主體部；以及

角度變更機(jī)構(gòu)，其使所述第1斜面和所述第2斜面相對(duì)于所述基板的角度變更。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述試驗(yàn)裝置具有振動(dòng)裝置，該振動(dòng)裝置使所述第1斜面和所述第2斜面振動(dòng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述試驗(yàn)裝置具有除電裝置，該除電裝置對(duì)所述半導(dǎo)體芯片的異物進(jìn)行除電。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述除電裝置是離子發(fā)生器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述試驗(yàn)裝置具有超聲波施加裝置，該超聲波施加裝置向所述半導(dǎo)體芯片施加超聲波。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述試驗(yàn)裝置具有凸起部，該凸起部在所述第1斜面和所述第2斜面之間進(jìn)行上下移動(dòng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述試驗(yàn)裝置具有移動(dòng)控制部，該移動(dòng)控制部使所述凸起部旋轉(zhuǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

在所述第1斜面和所述第2斜面上設(shè)置有附著了磨料顆粒的卷繞式的研磨片。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

在所述第1斜面和所述第2斜面上設(shè)置有卷繞式的粘接片。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

在所述第1斜面和所述第2斜面上形成有對(duì)從所述半導(dǎo)體芯片脫落的異物進(jìn)行回收的開(kāi)口。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述試驗(yàn)裝置具有吸氣裝置，該吸氣裝置對(duì)所述開(kāi)口內(nèi)吸氣。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述異物去除部具有對(duì)從所述半導(dǎo)體芯片脫落的異物進(jìn)行收容的凹部。

14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的試驗(yàn)裝置，其特征在于，

所述試驗(yàn)裝置具有追加異物去除部，該追加異物去除部具有設(shè)置了磨料顆粒或粘接片的平坦面。

15.一種試驗(yàn)方法，其特征在于，具有：

異物去除工序，在該工序中，使切割得到的半導(dǎo)體芯片的側(cè)面與設(shè)置有磨料顆粒或粘接片的斜面抵接，將所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的異物去除；以及

試驗(yàn)工序，在該工序中，在所述異物去除工序之后，對(duì)所述半導(dǎo)體芯片的電氣特性進(jìn)行試驗(yàn)，

所述斜面具有相對(duì)的第1斜面和第2斜面，

所述第2斜面以上方處與所述第1斜面的距離遠(yuǎn)、下方處與所述第1斜面的距離近的方式與所述第1斜面相對(duì)，

在所述異物去除工序中，通過(guò)使所述半導(dǎo)體芯片向下方落下，從而使所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面與所述第1斜面和所述第2斜面抵接。