[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410387820.0 | 申請日： | 2014-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN104681579B | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李在暎;樸埈遠(yuǎn);李相炘;許海利;許訓(xùn)會;金智珉 | 申請（專利權(quán)）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 密封結(jié)構(gòu) 有機發(fā)光顯示裝置 薄膜晶體管陣列 有機發(fā)光器件 發(fā)光陣列 像素區(qū)域 支承基板 保護(hù)層 密封層 粘附 有機發(fā)光顯示 薄膜晶體管 軟材料 粘合層 阻擋層 基板 制造 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：
薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：
支承基板，所述支承基板包括軟材料；和
多個薄膜晶體管，所述多個薄膜晶體管在所述支承基板上并且與多個像素區(qū)域相對應(yīng)；
發(fā)光陣列，所述發(fā)光陣列包括多個有機發(fā)光器件，所述多個有機發(fā)光器件在所述薄膜晶體管陣列基板上并且與所述多個像素區(qū)域相對應(yīng)；
密封結(jié)構(gòu)，所述密封結(jié)構(gòu)在所述薄膜晶體管陣列基板上方，使得所述發(fā)光陣列插入在所述薄膜晶體管陣列基板和所述密封結(jié)構(gòu)之間；以及
粘合層，所述粘合層在所述發(fā)光陣列和所述密封結(jié)構(gòu)之間，
其中，所述密封結(jié)構(gòu)包括：
保護(hù)層，所述保護(hù)層在所述發(fā)光陣列上；
密封層，所述密封層在所述薄膜晶體管陣列基板上方；以及
阻擋層，所述阻擋層將所述保護(hù)層和所述密封層彼此粘結(jié)，其中，所述阻擋層由具有透水屬性的絕緣材料形成，
其中，所述阻擋層和所述保護(hù)層覆蓋所述發(fā)光陣列的側(cè)壁并且所述保護(hù)層直接接觸所述發(fā)光陣列的所述側(cè)壁，或者所述阻擋層覆蓋所述發(fā)光陣列的側(cè)壁并且直接接觸所述發(fā)光陣列的所述側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述粘合層包括選自以下各項中的一個或多個的透明且絕緣材料：烯烴基、丙烯基以及硅基絕緣材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述粘合層包括具有憎水性和粘合屬性的所述烯烴基絕緣材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中：
所述粘合層包括在兩側(cè)具有粘合表面的膜，并且
所述粘合層附著到所述發(fā)光陣列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述保護(hù)層包括含有氧化鋁基材料的第一絕緣體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述第一絕緣體層具有在20nm～50nm范圍內(nèi)的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述保護(hù)層包括：
至少一個第一絕緣體層；以及
至少一個第二絕緣體層，所述至少一個第二絕緣體層在所述第一絕緣體層的上表面或下表面上，所述第二絕緣體層包括以下各項中的任何一個或多個：SiNx、SiOy以及SiOCz。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述密封層包圍所述發(fā)光陣列的所述側(cè)壁。
9.一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，所述方法包括：
提供薄膜晶體管陣列基板和發(fā)光陣列，所述薄膜晶體管陣列基板包括：支承基板，所述支承基板包括軟材料；和多個薄膜晶體管，所述多個薄膜晶體管在所述支承基板上并且與多個像素區(qū)域相對應(yīng)，并且所述發(fā)光陣列包括多個有機發(fā)光器件，所述多個有機發(fā)光器件在所述薄膜晶體管陣列基板上并且與所述多個像素區(qū)域相對應(yīng)；
將粘合層提供到所述發(fā)光陣列的頂部，所述粘合層包括透明屬性，所述粘合層的兩個表面都是粘合表面；
在所述粘合層上提供保護(hù)層，所述保護(hù)層包括含有氧化鋁的第一絕緣體層；
在所述保護(hù)層上對齊密封層以面對所述薄膜晶體管陣列基板；以及
使用在所述密封層和所述保護(hù)層之間的阻擋層將所述密封層附著到所述薄膜晶體管陣列基板，其中，所述阻擋層由具有透水屬性的絕緣材料形成，
其中，所述阻擋層和所述保護(hù)層覆蓋所述發(fā)光陣列的側(cè)壁并且所述保護(hù)層直接接觸所述發(fā)光陣列的所述側(cè)壁，或者所述阻擋層覆蓋所述發(fā)光陣列的側(cè)壁并且直接接觸所述發(fā)光陣列的所述側(cè)壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述粘合層包括選自以下各項中的一個或多個的透明且絕緣材料：烯烴基、丙烯基以及硅基絕緣材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述粘合層包括具有憎水性和粘合屬性的所述烯烴基絕緣材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
