[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201410387820.0 | 申請日: | 2014-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN104681579B | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 李在暎;樸埈遠;李相炘;許海利;許訓會;金智珉 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 密封結構 有機發光顯示裝置 薄膜晶體管陣列 有機發光器件 發光陣列 像素區域 支承基板 保護層 密封層 粘附 有機發光顯示 薄膜晶體管 軟材料 粘合層 阻擋層 基板 制造 | ||
提供了一種有機發光顯示裝置及其制造方法。該有機發光顯示OLED裝置包括:薄膜晶體管陣列(TFT)基板,該薄膜晶體管陣列(TFT)包括:支承基板,其包括軟材料;和多個薄膜晶體管,其在支承基板上并且與多個像素區域相對應,該OLED裝置還包括:發光陣列(LEA),該發光陣列(LEA)包括多個有機發光器件,所述多個有機發光器件在TFT陣列基板上與所述多個像素區域相對應;密封結構,其面對TFT陣列基板,使得LEA插入在TFT陣列基板和密封結構之間;以及粘合層,其在LEA與密封結構之間,以將LEA粘附到密封結構,其中,密封結構包括:在LEA上的保護層、在TFT陣列基板上方的密封層以及將保護層粘附到密封層的阻擋層。
技術領域
以下描述涉及可用作柔性顯示裝置的有機發光顯示裝置及其制造方法。
背景技術
近期向信息社會的轉變已經使得視覺呈現電信息信號的顯示器領域得到快速發展,并且已經相應地開發了呈現極好屬性(諸如薄剖面、輕重量以及低功率消耗)的各種平板顯示裝置。
這些平板顯示裝置的代表性示例可以包括:液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示板(PDP)、場發射顯示器(FED)、電致發光顯示器(ELD)、電潤濕顯示器(EWD)以及有機發光顯示裝置。
所有的上述平板顯示裝置中基本上包括平坦顯示板以顯示圖像。通過結合一對基板以面對彼此來制造平顯示板,其中固有發光材料或偏光器插入這一對基板之間。平板顯示器包括顯示面,顯示面由顯示區域和在該顯示區域周圍的周邊非顯示區域所限定。顯示區域由多個像素區域限定。
最近,已開發一種平板顯示裝置(柔性顯示裝置),其包括由軟材料形成的柔性基板,從而能夠在可像一張紙一樣彎曲時維持顯示性能。
這樣的柔性顯示裝置可以具有比沒有柔性的常規顯示裝置更廣泛的應用范圍,并且因此對柔性顯示裝置的商業化的研究和開發正在進行。
同時,有機發光顯示裝置被構造成使用自發光有機發光器件來顯示圖像。也就是說,有機發光顯示裝置包括與多個像素區域相對應的多個有機發光器件。
通常,這樣的有機發光器件包括:布置成面對彼此的第一電極和第二電極;以及在第一電極和第二電極之間的發光層,該發光層由有機材料形成以基于第一電極和第二電極之間的驅動電流來實現電致發光。
然而,有機發光層可能由于水、氧氣等而容易地且迅速地劣化。因此,典型的有機發光顯示裝置包括密封結構以防止水和氧氣侵入到有機層中。
圖1是典型的有機發光顯示裝置的局部截面圖。
如圖1中所示,典型的有機發光顯示裝置10包括:薄膜晶體管陣列基板11;在薄膜晶體管陣列基板11上的發光陣列12;以及結合到薄膜晶體管陣列基板11的密封結構13。薄膜晶體管陣列基板11和密封結構13面對彼此,其中發光陣列12插入薄膜晶體管陣列基板11和密封結構13之間。
密封結構13包括:結合成面對薄膜晶體管陣列基板11的密封層13a;布置成覆蓋發光陣列12的頂部的保護層13b;以及布置在密封層13a與保護層13b之間的阻擋層13c,使得密封層13a和保護層13b通過阻擋層13而彼此粘結。
保護層13b是由具有不同組分或厚度的有機和無機絕緣材料形成的多個層的堆疊。也就是說,保護層13b包括由無機絕緣材料形成的至少一個絕緣體層。
然而,由無機絕緣材料形成的薄膜往往轉印(transfer)薄膜上任何對象的輪廓。盡管可以期待厚膜防止這種問題,但是這不利地要求高的成本和長的處理時間。然而,為了補償發光陣列12上的雜質,布置在發光陣列12上的保護層13b基本上包括由有機絕緣材料形成的絕緣體層。和厚無機絕緣體層相比,厚有機絕緣體層的形成更容易。然而,有機絕緣體層的這種添加不利于減少顯示裝置的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





