[發明專利]源漏結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201410387740.5
• 申請日: 2014-08-07
• 公開（公告）號: CN105336781A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 王成誠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李志剛;吳貴明

1.一種源漏結構，所述源漏結構包括設置在襯底中的漏極區和源極區，所述漏極區包括輕摻雜超淺結和漏極重摻雜區，其特征在于，所述漏極區還包括：

漏極-襯底結，設置在所述輕摻雜超淺結和所述襯底的靠近所述輕摻雜超淺結的側面與底面結合處的部位，所述漏極-襯底結中的雜質離子與所述輕摻雜超淺結中的雜質離子為反型離子。

2.根據權利要求1所述的源漏結構，其特征在于，位于所述輕摻雜超淺結中的所述漏極-襯底結1的邊緣弧度小于所述輕摻雜超淺結的邊緣弧度。

3.根據權利要求1所述的源漏結構，其特征在于，所述漏極-襯底結中的雜質離子濃度小于所述漏極重摻雜區中的雜質離子濃度。

4.根據權利要求1所述的源漏結構，其特征在于，所述源極區包括：

源極-襯底結，設置在所述源極區和所述襯底的靠近所述源極區的側面與底面結合處的部位。

5.根據權利要求1所述的源漏結構，其特征在于，所述源漏結構還包括：

柵極，設置在所述源極區和所述漏極區之間的所述襯底上；

側墻，設置在所述柵極的側壁上且沿遠離所述柵極的方向延伸至所述漏極重摻雜區的邊緣。

6.根據權利要求1所述的源漏結構，其特征在于，所述源漏結構的溝道類型為N型溝道，所述漏極-襯底結中的雜質離子為P型離子。

7.一種源漏結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟S1，在襯底上形成柵極；

步驟S2，在所述襯底中欲設置漏極區的區域設置輕摻雜超淺結；

步驟S3，在所述柵極的側壁上設置側墻；

步驟S4，對所述輕摻雜超淺結進行反型離子深注入，在所述輕摻雜超淺結的側面與底面結合處的所述輕摻雜超淺結和所述襯底中形成漏極-襯底結，所述反型離子深注入所注入的離子與所述輕摻雜超淺結中的雜質離子為反型離子；以及

步驟S5，對裸露的所述輕摻雜超淺結進行重摻雜離子注入，形成漏極重摻雜區。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，位于源極區上方的相鄰所述側墻相連接。

9.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S4在進行所述反型離子深注入時，控制離子束與襯底表面的夾角為45°～85°，注入能量為10～50Kev。

10.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S4中反型離子深注入的離子劑量小于所述步驟S5中重摻雜離子注入的離子劑量。

11.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S5中重摻雜離子注入的離子劑量為2E11～2E13cm^-3。

12.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2之前還包括：

對所述襯底中欲設置源極區的區域進行自對準源極注入，形成自對準源極區；

對所述自對準源極區進行反型離子深注入，在所述自對準源極區和所述襯底的靠近所述自對準源極區的側面與底面結合處的部位中形成源極-襯底結。