[發明專利]一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201410384513.7
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN104183605A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 王燦;劉芳;張玉軍;劉英偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。

背景技術

金屬氧化物薄膜晶體管(MOTFT)技術是近年來備受業界關注并得到大力發展的新型薄膜晶體管技術，它具有較高的遷移率(5-50cm²/(V·s)左右)使用常規的磁控濺射工藝即可成膜，制作工藝簡單，制造成本較低，并且由于其非晶結構，具有優異的大面積均勻性，非常適合高分辨率LCD、AMOLED等新型顯示的需求。

在實際生產中發現，金屬氧化物薄膜晶體管的性能與源漏電極的功函數、界面接觸電阻有著直接的聯系。另外，由于氧化物半導體對等離子體轟擊非常敏感，源漏電極的沉積和刻蝕過程也會影響TFT器件的性能。不同的源漏電極及其制備過程會對遷移率、閾值電壓、開關比、亞閾值擺幅等都造成影響。

而金屬氧化物薄膜對酸非常敏感，即便是弱酸也能快速腐蝕氧化物半導體，所以在氧化物半導體上刻蝕金屬源漏電極時很容易破壞氧化物半導體本身。同時，由于氧化物半導體層很薄，一般在30-50nm之間，它即便在500:1稀釋的氫氟酸(HF)中，只需要幾秒鐘就可以刻蝕完，而大多數金屬需要在強酸下刻蝕，并且速率較慢。這樣，如何在氧化物半導體上刻蝕金屬源漏電極成為急需解決的難點。

現有技術中，通常采用增加一層刻蝕阻擋層(ESL)來保護位于阻擋層底部的金屬氧化物有源層免受金屬源漏電極的刻蝕液的影響，但這種方法需要格外增加了一層薄膜，并增加了一道圖形光刻，因此，需要額外增加工藝成本。

另外，另一種現有技術采用干法刻蝕的方法刻蝕金屬源漏電極，但由于干法刻蝕的離子會嚴重影響氧化物半導體的性能，同時干法刻蝕還需要昂貴的真空離子設備，因此這種方法的應用受到了嚴重限制。

發明內容

(一)所要解決的技術問題

本發明的目的在于提供一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法，以解決現有的在氧化物半導體上刻蝕金屬源漏電極造成的工藝復雜且工藝成本昂貴等缺陷。

(二)技術方案

為實現上述目的，本發明采用如下技術方案：

本發明實施例一方面提供一種陣列基板，包括：有源層以及位于有源層上方的源漏電極，所述有源層為金屬氧化物，其包括第一有源層和第二有源層，所述第二有源層的含氧量小于第一有源層的含氧量；

所述第二有源層處于源漏電極和第一有源層之間，且位于源漏電極與第一有源層接觸的區域。

優選地，所述第一有源層的厚度為30-50nm。

優選地，所述第二有源層的厚度為5-15nm。

優選地，所述第一有源層為IGZO薄膜，所述IGZO薄膜中的氧含量占15-35％。

優選地，所述第二有源層為IGZO薄膜，所述IGZO薄膜中的氧含量占5-10％。

優選地，所述源漏電極采用金屬制作，其厚度為200-300nm。

另一方面，本發明還提供一種陣列基板的制作方法，包括有源層的制作方法，其具體包括：

步驟1、在基板上沉積第一有源層薄膜，在第一有源層薄膜上沉積第二有源層薄膜，其中，第二有源層薄膜中的含氧量小于第一有源層薄膜中的含氧量；

步驟2、對第一有源層薄膜和第二有源層薄膜采用構圖工藝形成有源層的圖形；

步驟3、沉積金屬薄膜，采用構圖工藝形成源漏電極的圖形及溝道，所述溝道刻蝕至第一有源層薄膜。

優選地，所述第一有源層薄膜的厚度為30-50nm。

優選地，所述第二有源層的厚度為5-15nm。

優選地，所述第一有源層為IGZO薄膜，所述IGZO薄膜中的氧含量占15-35％。

優選地，所述第二有源層為IGZO薄膜，所述IGZO薄膜中的氧含量占5-10％。

優選地，所述步驟3中所述溝道刻蝕至第一有源層薄膜具體包括：

在刻蝕過程中使用雙氧水作為刻蝕液，使用30:1比例的刻蝕夜對金屬薄膜和第二有源層進行刻蝕。

再一方面，本發明還一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

(三)有益效果

本發明提供的顯示裝置、陣列基板及其制作方法，可有效省掉刻蝕阻擋層的制作，并且可以增強有源層與源漏電極的接觸電阻，提高界面接觸性，減少氧化物中陷阱態的缺陷，增強氧化物半導體的信賴性，提高產品的良品率。

附圖說明

圖1～圖4為本發明實施例制作陣列基板步驟圖；

圖5為本發明實施例制作陣列基板流程圖。

具體實施方式