[發明專利]一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201410384513.7
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN104183605A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 王燦;劉芳;張玉軍;劉英偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：有源層以及位于有源層上方的源漏電極，所述有源層為金屬氧化物，其包括第一有源層和第二有源層，所述第二有源層的含氧量小于第一有源層的含氧量；

所述第二有源層處于源漏電極和第一有源層之間，且位于源漏電極與第一有源層接觸的區域。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層為IGZO薄膜，所述IGZO薄膜中的氧含量占15-35％。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源層為IGZO薄膜，所述IGZO薄膜中的氧含量占5-10％。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層的厚度為30-50nm。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源層的厚度為5-15nm。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏電極采用金屬制作，其厚度為200-300nm。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括有源層的制作方法，其具體包括：

步驟1、在基板上沉積第一有源層薄膜，在第一有源層薄膜上沉積第二有源層薄膜，其中，第二有源層薄膜中的含氧量小于第一有源層薄膜中的含氧量；

步驟2、對第一有源層薄膜和第二有源層薄膜采用構圖工藝形成有源層的圖形；

步驟3、沉積金屬薄膜，采用構圖工藝形成源漏電極的圖形及溝道，所述溝道刻蝕至第一有源層薄膜。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一有源層薄膜的厚度為30-50nm。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第二有源層的厚度為5-15nm。

10.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一有源層為IGZO薄膜，所述IGZO薄膜中的氧含量占15-35％。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第二有源層為IGZO薄膜，所述IGZO薄膜中的氧含量占5-10％。

12.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟3中所述溝道刻蝕至第一有源層薄膜具體包括：

在刻蝕過程中使用雙氧水作為刻蝕液，使用30:1比例的刻蝕夜對金屬薄膜和第二有源層進行刻蝕。

13.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的陣列基板。