[發明專利]一種掩膜板和曝光方法在審
| 申請號： | 201410384302.3 | 申請日： | 2014-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN104166303A | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 王寶強;樸相鎮 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 掩膜板 曝光 方法 | ||
1.一種掩膜板，其特征在于，包括至少兩個疊加的子掩膜板，每個所述子掩膜板包括遮光圖案和透光圖案，所有所述遮光圖案在所述掩膜板上的垂直投影無交疊。
2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，還包括透明的保護膜，所述保護膜位于所述子掩膜板靠近光源一側。
3.根據權利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述子掩膜板還包括透明的襯底基板，所述遮光圖案位于所述襯底基板上，所述遮光圖案的材質為鉻。
4.一種曝光方法，其特征在于，包括：至少兩個曝光過程，每個所述曝光過程包括：
在基板上形成光刻膠；
使用掩膜板遮蓋形成有所述光刻膠的所述基板，所述掩膜板包括至少兩個疊加的子掩膜板，每個所述子掩膜板包括遮光圖案和透光圖案，所有所述遮光圖案在所述掩膜板上的垂直投影無交疊；
使曝光光線聚焦于一個所述子掩膜板上，對所述光刻膠進行曝光；
其中，在不同的所述曝光過程中，使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上。
5.根據權利要求4所述的曝光方法，其特征在于，所述在不同的所述曝光過程中，使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上，包括：
在不同的所述曝光過程中，所述曝光光線的波長相同，位于不同的所述子掩膜板上的所述遮光圖案上方同一高度的聚光結構的焦距不同，不同的所述聚光結構使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上。
6.根據權利要求4所述的曝光方法，其特征在于，所述在不同的所述曝光過程中，使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上，包括：
在不同的所述曝光過程中，所述曝光光線的波長不同，位于不同的所述子掩膜板上的所述遮光圖案上方同一高度的聚光結構的焦距相同，所述聚光結構使波長不同的所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上。
7.根據權利要求4所述的曝光方法，其特征在于，所述在不同的所述曝光過程中，使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上，包括：
在不同的所述曝光過程中，所述曝光光線的波長相同，位于不同的所述子掩膜板上的所述遮光圖案上方的聚光結構的焦距相同，不同的所述聚光結構距離所述掩膜板的距離不同，所述聚光結構使波長相同的所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上。
8.根據權利要求5-7任一項所述的曝光方法，其特征在于，所述聚光結構為凸透鏡。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
