[發(fā)明專利]一種掩膜板和曝光方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410384302.3
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN104166303A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王寶強;樸相鎮(zhèn)
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種掩膜板，其特征在于，包括至少兩個疊加的子掩膜板，每個所述子掩膜板包括遮光圖案和透光圖案，所有所述遮光圖案在所述掩膜板上的垂直投影無交疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，還包括透明的保護膜，所述保護膜位于所述子掩膜板靠近光源一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述子掩膜板還包括透明的襯底基板，所述遮光圖案位于所述襯底基板上，所述遮光圖案的材質(zhì)為鉻。

4.一種曝光方法，其特征在于，包括：至少兩個曝光過程，每個所述曝光過程包括：

在基板上形成光刻膠；

使用掩膜板遮蓋形成有所述光刻膠的所述基板，所述掩膜板包括至少兩個疊加的子掩膜板，每個所述子掩膜板包括遮光圖案和透光圖案，所有所述遮光圖案在所述掩膜板上的垂直投影無交疊；

使曝光光線聚焦于一個所述子掩膜板上，對所述光刻膠進行曝光；

其中，在不同的所述曝光過程中，使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光方法，其特征在于，所述在不同的所述曝光過程中，使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上，包括：

在不同的所述曝光過程中，所述曝光光線的波長相同，位于不同的所述子掩膜板上的所述遮光圖案上方同一高度的聚光結(jié)構(gòu)的焦距不同，不同的所述聚光結(jié)構(gòu)使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光方法，其特征在于，所述在不同的所述曝光過程中，使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上，包括：

在不同的所述曝光過程中，所述曝光光線的波長不同，位于不同的所述子掩膜板上的所述遮光圖案上方同一高度的聚光結(jié)構(gòu)的焦距相同，所述聚光結(jié)構(gòu)使波長不同的所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光方法，其特征在于，所述在不同的所述曝光過程中，使所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上，包括：

在不同的所述曝光過程中，所述曝光光線的波長相同，位于不同的所述子掩膜板上的所述遮光圖案上方的聚光結(jié)構(gòu)的焦距相同，不同的所述聚光結(jié)構(gòu)距離所述掩膜板的距離不同，所述聚光結(jié)構(gòu)使波長相同的所述曝光光線聚焦于不同的所述子掩膜板上。

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項所述的曝光方法，其特征在于，所述聚光結(jié)構(gòu)為凸透鏡。