[發明專利]抗反射結構及電子裝置

在審

• 申請號: 201410383559.7
• 申請日: 2014-08-05
• 公開（公告）號: CN105319614A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 柯泰年;陳奕君;陳柏元;李昀軒;周家筠
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種抗反射結構，包括：

基板，具有平坦部以及設置于該平坦部上的凸出部，其中該凸出部與該平坦部為一體成形的；以及

涂層，設置于該基板上，并覆蓋該凸出部與該平坦部。

2.如權利要求1所述的抗反射結構，其中該凸出部具有半球狀或類半球狀的剖面輪廓。

3.如權利要求2所述的抗反射結構，其中該凸出部包含多個第一凸出部，且該些第一凸出部具有相同的寬度與高度，該寬度約介于195～400納米，而該高度約介于50～250納米。

4.如權利要求2所述的抗反射結構，其中該凸出部包含至少兩種相異的凸出部。

5.如權利要求4所述的抗反射結構，其中該凸出部包含多個第一凸出部以及多個第二凸出部，其中該些第一凸出部具有約介于195～400納米的寬度及約介于50～250納米的高度，該些第二凸出部具有約介于280～400納米的寬度及介于50～250納米的高度。

6.如權利要求4所述的抗反射結構，其中該些凸出部包含多個第一凸出部、多個第二凸出部以及多個第三凸出部，其中該些第一凸出部具有約介于195～245納米的寬度及介于50～250納米的高度，該些第二凸出部具有約介于280～330納米的寬度及介于50～250納米的高度，以及該些第三凸出部具有約介于350～400納米的寬度及介于50～250納米的高度。

7.如權利要求6所述的抗反射結構，其中該些第一凸出部占總面積比例的60％～98％，該些第二凸出部占總面積比例的1％～20％，以及該第三部分占總面積比例的1％～20％。

8.如權利要求1所述的抗反射結構，其中該基板包括玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯或聚酰亞胺的材質。

9.如權利要求1所述的抗反射結構，其中該涂層包括全氟聚醚、氟烷或鹵化烷的材質。

10.一種電子裝置，包括：

第一基板；

第二基板，設置于該第一基板上；以及

液晶層、觸碰感測層或光電轉換組件，設置于該第一基板與該第二基板之間，其中該第二基板包括如權利要求1所述的該抗反射結構。