[發明專利]集成電路、多層裝置的結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201410382800.4
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN105097816B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 陳士弘
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11551
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種多層裝置的結構，包括：

一基板；

N個梯級，位于該基板上，這些梯級自該基板在一第一水平的一表面，延伸到該基板在一第二水平的一表面，其中N為大于或等于1的整數；

有源層與絕緣層交錯的一疊層，該疊層位于該基板上，該疊層包括多個次疊層，這些次疊層與該N個梯級對應設置以分別形成接觸區域，這些接觸區域位于設置在一共享水平的這些次疊層；以及

多個導體，位于這些接觸區域，且這些導體分別連接至各該次疊層的這些有源層的降落區域；

其中，該N個梯級的多個級高是位于該基板內一凹陷的一側邊。

2.根據權利要求1所述的結構，其中N為1，該梯級具有一級深及一級高，其中該梯級的該級深位于該第二水平，該疊層包括一第一次疊層及一第二次疊層，該第一次疊層及該第二次疊層分別具有最上層，該第一次疊層覆蓋該梯級的該級深及該級高，該第二次疊層覆蓋該第一次疊層以及該第一水平的該表面，以在該第一次疊層上形成一第一區，在該第二次疊層上形成一第二區，該第一區及該第二區設置在一共同水平；以及

這些導體包括層間連接器，這些層間連接器位于該第一區及該第二區，該第一區及該第二區域分別延伸至該第一次疊層及該第二次疊層的有源層的降落區域。

3.根據權利要求2所述的結構，其中該第一次疊層及該第二次疊層各具有厚度，該梯級的該級高與該第一次疊層的厚度的總和，與該第一次疊層的厚度及該第二次疊層的厚度的總和相同。

4.根據權利要求2所述的結構，其中該第一次疊層和該第二次疊層具有相同的厚度，該梯級的級高與這些次疊層的厚度相同。

5.根據權利要求2所述的結構，其中這些導體至該第一次疊層中最下方的有源層，以及這些導體至該第二次疊層中最下方的有源層具有一致的長度。

6.根據權利要求2所述的結構，其中這些導體至該第一次疊層及該第二次疊層中最下方的有源層具有一最大長度，該最大長度與該第一次疊層及該第二次疊層中最厚的厚度相同。

7.根據權利要求1所述的結構，其中：

N大于1，且該N個梯級包括梯級(i)，其中i＝0～N-1，各該梯級具有一級深及一級高，其中該N個梯級中最后一個梯級(i＝N-1)的該級深是位于該第二水平；

該有源層疊層包括N+1個次疊層，該N+1個次疊層包括次疊層(j)，其中j＝0～N，該N+1個次疊層各具有最上層；一第一次疊層(j)，j＝0，是覆蓋該N個梯級的該級高和該級深，該N個梯級包括最后一個梯級(i)，其中i＝N-1；多個中間次疊層(j)，其中j＝1～N-1，覆蓋前述次疊層與梯級(i)的該級高，其中i＝N-1-j；以及一最上方的次疊層，覆蓋前述次疊層，且未覆蓋該N個梯級內的梯級，進而使這些接觸區域位于這些次疊層上，且這些次疊層的最上層設置在一共同水平。

8.根據權利要求7所述的結構，其中這些次疊層各具有厚度，該梯級(N-i-J)的該級高與該次疊層(j)的厚度之和，與該次疊層(j)的厚度及該次疊層(j+1)的厚度之和相同，其中j＝0～N-1，j＝i。

9.根據權利要求7所述的結構，其中該N+1個次疊層具有相同的厚度，這些梯級的這些級高與這些次疊層的厚度相同。

10.根據權利要求7所述的結構，其中這些導體至該N+1個次疊層中的這些最下方有源層，是與該共享水平至這些降落區域具有相同的長度。

11.根據權利要求7所述的結構，其中，這些導體至該N+1個次疊層中的這些最下方有源層具有一最大長度，該最大長度與該N+1個次疊層中最厚的厚度相同。