[發明專利]一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法在審
| 申請號： | 201410381867.6 | 申請日： | 2014-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN104157766A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發明（設計）人： | 韓忠賀 | 申請（專利權）人： | 韓忠賀 |
| 主分類號： | H01L33/30 | 分類號： | H01L33/30;H01L21/30 |
| 代理公司： | 徐州市淮海專利事務所 32205 | 代理人： | 華德明 |
| 地址： | 221000 江蘇省徐*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 砷化鎵 襯底 高溫 蝕刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟：
A．在藥水槽中配制氨水、雙氧水和水的混合液，當藥水溫度升至48℃～52℃時，將裝有襯底為砷化鎵的芯片的蝕刻花籃放入藥水槽中，計時5～7分鐘；
B．取出蝕刻花籃，將蝕刻花籃內的芯片的平邊在豎直面內旋轉175°～185°；
C．再次將蝕刻花籃浸入溫度為48℃～52℃的藥水槽中，計時1分25～1分35秒；
D.?取出蝕刻花籃，將蝕刻花籃內的芯片的平邊在豎直面內旋轉175°～185°；
E．再次將蝕刻花籃浸入溫度為48℃～52℃的藥水槽中，計時25～35秒；
F.?取出蝕刻花籃直接浸入室溫的盛有氨水、雙氧水和水的混合液的藥水槽中。
2.根據權利要求1所述的一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法，其特征在于，所述的步驟B完成后，將蝕刻花籃置入去離子水槽中做漂流動作后，再完成步驟C的操作。
3.根據權利要求1所述的一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法，其特征在于，所述的步驟D完成后，將蝕刻花籃置入去離子水槽中做漂流動作后，再完成步驟E的操作。
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