[發(fā)明專利]一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法在審

申請?zhí)枺?/td>	201410381867.6	申請日：	2014-08-06
公開（公告）號：	CN104157766A	公開（公告）日：	2014-11-19
發(fā)明（設計）人：	韓忠賀	申請（專利權）人：	韓忠賀
主分類號：	H01L33/30	分類號：	H01L33/30;H01L21/30
代理公司：	徐州市淮海專利事務所 32205	代理人：	華德明
地址：	221000 江蘇省徐***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種芯片砷化鎵襯底高溫蝕刻方法
鉆瓜網(wǎng) 技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本發(fā)明涉及一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法。

背景技術

砷化鎵是一種半導體材料，可以作為發(fā)光二極管的襯底，也可作為發(fā)光層。?

砷化鎵作為芯片的襯底，其高溫蝕刻的方法多采用干式蝕刻，該蝕刻方法對砷化鎵的選擇比低，蝕刻后的均勻性不好，并且砷化鎵蝕刻不徹底，嚴重影響二極管的發(fā)光效率，并且砷化鎵毒性較大，會嚴重污染干式蝕刻機的蝕刻腔體。

發(fā)明內容

針對上述現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明提供一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法，該方法對砷化鎵的選擇比高，砷化鎵的高溫蝕刻具有良好的均勻性與徹底性，二極管的發(fā)光效率較高，避免對干式蝕刻機蝕刻腔體污染的現(xiàn)象發(fā)生。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是：一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法，包括如下步驟：

A．在藥水槽中配制氨水、雙氧水和水的混合液，當藥水溫度升至48℃～52℃時，將裝有襯底為砷化鎵的芯片的蝕刻花籃放入藥水槽中，計時5～7分鐘；

B．取出蝕刻花籃，將蝕刻花籃內的芯片的平邊在豎直面內旋轉175°～185°；

C．再次將蝕刻花籃浸入溫度為48℃～52℃的藥水槽中，計時1分25～1分35秒；

D.?取出蝕刻花籃，將蝕刻花籃內的芯片的平邊在豎直面內旋轉175°～185°；

E．再次將蝕刻花籃浸入溫度為48℃～52℃的藥水槽中，計時25～35秒；

F.?取出蝕刻花籃直接浸入室溫的盛有氨水、雙氧水和水的混合液的藥水槽中。

本發(fā)明采用化學藥水為氨水、雙氧水和水的混合液，即采用濕式蝕刻，該藥水對砷化鎵的選擇比高，且在藥水槽中完成作業(yè)，避免了對干式蝕刻機的腔體造成污染，步驟A、C和E,分不同的時間段分步蝕刻，使砷化鎵徹底蝕刻干凈，由于不同深度的蝕刻藥水的濃度和溫度都有差異，因此增加步驟B與D即將芯片的平邊在豎直面內旋轉175°～185°，保證砷化鎵襯底的整個面都蝕刻均勻，采用該蝕刻方法后，芯片的發(fā)光效率提高了20%。

具體實施方式

下面結合實施例對本發(fā)明做進一步的說明：

實施列一：

一種芯片的砷化鎵襯底的高溫蝕刻方法，包括如下步驟：

A．在藥水槽中配制氨水、雙氧水和水的混合液，當藥水溫度升至48℃時，將裝有襯底為砷化鎵的芯片的蝕刻花籃放入藥水槽中，計時5分鐘；

B．取出蝕刻花籃，將蝕刻花籃內的芯片的平邊在豎直面內旋轉175°；

C．再次將蝕刻花籃浸入溫度為48℃的藥水槽中，計時1分25秒；

D.?取出蝕刻花籃，將蝕刻花籃內的芯片的平邊在豎直面內旋轉175°；

E．再次將蝕刻花籃浸入溫度為48℃的藥水槽中，計時25秒；

F.?取出蝕刻花籃直接浸入室溫的盛有氨水、雙氧水和水的混合液的藥水槽中。

進一步，步驟B完成后，將蝕刻花籃置入去離子水槽中做漂流動作后，再完成步驟C的操作，防止反應生成物附著在砷化鎵襯底表面，影響出光率。

進一步，步驟D完成后，將蝕刻花籃置入去離子水槽中做漂流動作后，再完成步驟E的操作，防止反應生成物附著在砷化鎵襯底表面，影響出光率。