[發明專利]一種阻隔膜層、具其的光電器件及光電器件的制作方法

在審

• 申請號: 201410381466.0
• 申請日: 2014-08-05
• 公開（公告）號: CN104157705A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 盧永春;喬勇;程鴻飛;先建波
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/18;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種阻隔膜層，其特征在于，形成所述阻隔膜層的材料包括拓撲絕緣體，所述阻隔膜層在圖案化的基底表面形成。

2.根據權利要求1所述的阻隔膜層，其特征在于，所述阻隔膜層為二維納米結構的拓撲絕緣體。

3.根據權利要求1所述的阻隔膜層，其特征在于，所述拓撲絕緣體包括HgTe、Bi_xSb_1-x、Sb₂Te₃、Bi₂Te₃、Bi₂Se₃、T₁BiTe₂、T₁BiSe₂、Ge₁Bi₄Te₇、Ge₂Bi₂Te₅、Ge₁Bi₂Te₄、AmN、PuTe、單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種。

4.根據權利要求3所述的阻隔膜層，其特征在于，單層錫的變體材料通過對單層錫進行表面修飾或磁性摻雜形成。

5.根據權利要求4所述的阻隔膜層，其特征在于，單層錫的變體材料為對單層錫進行氟原子的表面修飾，形成的錫氟化合物。

6.一種光電器件，包括襯底以及形成在所述襯底第一表面上的功能層，其特征在于，還包括形成在所述襯底第一表面上的至少一層阻隔膜層，其中，所述阻隔膜層為權利要求1-5任一項所述的阻隔膜層。

7.根據權利要求6所述的光電器件，其特征在于，在所述功能層的上面形成有第一阻隔膜層。

8.根據權利要求7所述的光電器件，其特征在于，在所述功能層和襯底之間形成有第二阻隔膜層。

9.根據權利要求6所述的光電器件，其特征在于，在與所述襯底第一表面相對的第二表面形成有第三阻隔膜層。

10.根據權利要求6-9任一項所述的光電器件，其特征在于，所述阻隔膜層通過黏著層粘附在所述襯底上。

11.根據權利要求8所述的光電器件，其特征在于，在所述阻隔膜層和襯底之間形成有密封膠，所述密封膠包含拓撲絕緣體。

12.一種光電器件的制作方法，其特征在于，包括：

利用拓撲絕緣體形成阻隔膜層圖案；

在襯底的第一表面上形成多層結構，所述多層結構包括功能層及由所述阻隔膜層圖案形成的阻隔膜層。

13.根據權利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底的第一表面上形成多層結構具體包括：

在襯底的第一表面形成功能層；

在所述功能層的上面形成第一阻隔膜層。

14.根據權利要求13所述的制作方法，其特征在于，在襯底的第一表面形成功能層之前，所述方法還包括：

在襯底的第一表面形成第二阻隔膜層。

15.根據權利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述襯底與第一表面相對的第二表面形成第三阻隔膜層。

16.根據權利要求12-15任一項所述的制作方法，其特征在于，在襯底上形成阻隔膜層具體包括：

在所述阻隔膜層圖案表面形成黏著層，將所述阻隔膜層圖案貼附在襯底的對應區域。

17.根據權利要求12-15任一項所述的制作方法，其特征在于，所述利用拓撲絕緣體形成阻隔膜層圖案具體包括：

對基底進行圖案化刻蝕，形成對應阻隔膜層的圖案；

在圖案化的基底表面形成具有二維納米結構的拓撲絕緣體的薄膜；

將所述基底去除，得到阻隔膜層圖案。

18.根據權利要求12-15任一項所述的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述阻隔膜層和襯底之間形成密封膠，所述密封膠包含拓撲絕緣體。