[發(fā)明專利]用于大功率芯片BGA封裝的散熱結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410380772.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104112725B | 公開(公告)日: | 2017-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 侯峰澤;林挺宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/473 | 分類號(hào): | H01L23/473;H01L23/373 |
| 代理公司: | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷紅梅,涂三民 |
| 地址: | 214135 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 大功率 芯片 bga 封裝 散熱 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu),本發(fā)明尤其是涉及一種用于大功率芯片BGA(Ball?Grid?Array,球柵陣列)封裝的散熱結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
大功率芯片,尤其功率密度達(dá)到350W/cm2以上的芯片,以及Hotspot(熱點(diǎn))達(dá)到10KW/cm2以上的芯片,如果采用BGA封裝,芯片產(chǎn)生的熱量很難從封裝內(nèi)傳導(dǎo)出去。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種有助于盡快將芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至封裝外、從而提高大功率芯片BGA封裝的散熱能力的用于大功率芯片BGA封裝的散熱結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案,所述用于大功率芯片BGA封裝的散熱結(jié)構(gòu),在印刷線路板的上表面焊接有支撐球,在支撐球上設(shè)有有機(jī)基板,在機(jī)基板的上表面設(shè)有模塑封體與微噴腔體,微噴腔體位于模塑封體的下端內(nèi)部,在微噴腔體的下腔板中部位置開設(shè)有冷卻介質(zhì)入口,在微噴腔體的下腔板左右兩端部開設(shè)有冷卻介質(zhì)出口,在微噴腔體的上腔板上表面設(shè)有導(dǎo)熱薄膜,在支撐球一側(cè)的印刷線路板的上表面設(shè)有冷卻泵與熱交換器,冷卻泵的入口與熱交換器的出口之間通過(guò)第一連接管道相連,冷卻泵的出口與冷卻介質(zhì)入口通過(guò)第二連接管道相連,冷卻介質(zhì)出口與熱交換器的入口之間通過(guò)第三連接管道相連,第三連接管道的中段架設(shè)在模塑封體的上方。
所述導(dǎo)熱薄膜為高導(dǎo)熱金剛石薄膜。
在微噴腔體內(nèi)設(shè)有水平狀的微噴腔體隔板,在微噴腔體隔板上開設(shè)有隔板過(guò)孔。
所述第二連接管道與第三連接管道繞開支撐球。
本發(fā)明采用主動(dòng)散熱方式,即微噴射流散熱技術(shù)應(yīng)用到BGA封裝級(jí),大功率芯片下面有一層高導(dǎo)熱金剛石薄膜,有助于盡快將芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至封裝外,從而提高大功率芯片BGA封裝的散熱能力。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明微噴腔體的放大圖。
圖3是圖2的A—A剖視圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
該用于大功率芯片BGA封裝的散熱結(jié)構(gòu),在印刷線路板400的上表面焊接有支撐球102,在支撐球102上設(shè)有有機(jī)基板101,在機(jī)基板101的上表面設(shè)有模塑封體107與微噴腔體106,微噴腔體106位于模塑封體107的下端內(nèi)部,在微噴腔體106的下腔板中部位置開設(shè)有冷卻介質(zhì)入口110,在微噴腔體106的下腔板左右兩端部開設(shè)有冷卻介質(zhì)出口111,在微噴腔體106的上腔板上表面設(shè)有導(dǎo)熱薄膜105,在支撐球102一側(cè)的印刷線路板400的上表面設(shè)有冷卻泵200與熱交換器300,冷卻泵200的入口與熱交換器300的出口之間通過(guò)第一連接管道600相連,冷卻泵200的出口與冷卻介質(zhì)入口110通過(guò)第二連接管道500相連,冷卻介質(zhì)出口111與熱交換器300的入口之間通過(guò)第三連接管道700相連,第三連接管道700的中段架設(shè)在模塑封體107的上方。
所述導(dǎo)熱薄膜105為高導(dǎo)熱金剛石薄膜。
在微噴腔體106內(nèi)設(shè)有水平狀的微噴腔體隔板108,在微噴腔體隔板108上開設(shè)有隔板過(guò)孔109。
所述第二連接管道500與第三連接管道700繞開支撐球102。
使用時(shí),在導(dǎo)熱薄膜105的上表面設(shè)有大功率芯片104,大功率芯片104的引線103鍵合到有機(jī)基板101上,
本發(fā)明中,有機(jī)基板101、支撐球102、引線103、大功率芯片104、導(dǎo)熱薄膜105、微噴腔體106、模塑封體107、微噴腔體隔板108、隔板過(guò)孔109、冷卻介質(zhì)入口110與冷卻介質(zhì)出口111統(tǒng)稱為BGA封裝100。
大功率芯片104通過(guò)引線103鍵合到有機(jī)基板101上,導(dǎo)熱薄膜105在大功率芯片104下表面,微噴冷卻介質(zhì)采用去離子水或液態(tài)金屬,通過(guò)冷卻泵200加壓驅(qū)動(dòng),使去離子水或液態(tài)金屬流經(jīng)冷卻介質(zhì)入口110進(jìn)入到微噴腔體106內(nèi),為了使大功率芯片104工作時(shí),溫度分布均勻,避免局部出現(xiàn)熱點(diǎn),微噴腔體106內(nèi)含一個(gè)微噴腔體隔板108,隔板上有若干個(gè)隔板過(guò)孔109,去離子水或液態(tài)金屬經(jīng)過(guò)孔,均勻噴到腔體上表面,吸收大功率芯片104產(chǎn)生的熱量,離子水或液態(tài)金屬受熱冷卻后,從兩邊冷卻介質(zhì)出口111回流到熱交換器300,通過(guò)熱交換器300和周圍空氣進(jìn)行對(duì)流換熱,完成一個(gè)循環(huán)。
本發(fā)明是一種將導(dǎo)熱薄膜105(采用高導(dǎo)熱金剛石薄膜制成)和微噴射流散熱技術(shù)應(yīng)用到BGA封裝的主動(dòng)散熱技術(shù)。
本發(fā)明的制作過(guò)程如下:
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