[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法在審

申請號：	201410380467.3	申請日：	2014-08-04
公開（公告）號：	CN104183604A	公開（公告）日：	2014-12-03
發明（設計）人：	徐向陽	申請（專利權）人：	深圳市華星光電技術有限公司
主分類號：	H01L27/12	分類號：	H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司：	深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280	代理人：	何青瓦
地址：	518000 廣東省深圳市光明新區公***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	tft lcd 陣列及其制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，特別是涉及一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術

圖像顯示面板采用M×N點排列的逐行掃描矩陣顯示，其包括用于控制發光源的陣列基板。以薄膜場效應晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)為例，陣列基板的驅動器主要包括柵極驅動器，即掃描驅動器，和數據驅動器，其中，柵極驅動器將輸入的時鐘信號通過移位寄存器轉換后加在液晶顯示面板的柵線上。

目前已有很多種現有技術用于優化減少TFT的個數，而電容作為移位寄存器的必須基本單元，必不可少，而且電容至少需要一個，大小至少需要幾個皮法(pF)到幾十個皮法，即通常所占面積由1000μm²到1000000μm²。通常在做TFT-LCD的柵極驅動器的移位寄存器時，會把電容的一個電極作為TFT柵極層，另一電極使用TFT源漏層制造。

TFT-LCD陣列基板上的像素單元結構，其中包括：一個TFT開關、一個存儲電容和一個液晶電容，通常存儲電容由第一層柵金屬形成的Com電極與像素電極ITO之間的重疊區域構成，由于Com電極由金屬材料構成，不透光，因此存儲電容區域為不透光區，使得像素區開口率與存儲電容構成一對矛盾體。圖1是現有技術TFT-LCD陣列基板的結構示意圖，其中由玻璃基板101上的Com金屬層102與ITO層105間的重疊區形成的存儲電容，介電物質為G-SiNx層和P-SiNx層104兩層絕緣層，距離較大，使得現有技術TFT-LCD陣列基板中單位面積存儲電容較小。

發明內容

本發明解決的技術問題是，提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，能夠減少存儲電容極板間距離，以增大單位面積儲存電容值。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線和數據線，柵線和數據線限定的像素區域內形成有像素電極和薄膜晶體管，像素區域內還設置有第一連接電極，第一連接電極通過第一過孔與柵線連接，同時還連接數據線。

其中，柵線上設置第一絕緣層，第一過孔穿過第一絕緣層，露出柵線。

其中，第一連接電極通過第一過孔設置在柵線上。

其中，第一連接電極上設置第二絕緣層，第二絕緣層厚度小于第一絕緣層厚度。

其中，第二絕緣層上設置像素電極，像素電極和柵線的重疊區域形成存儲電容，其中第二絕緣層形成存儲電容的介質層，存儲電容的電容值為：C＝ε·S/4πkd；其中S是重疊區域的面積，d是第二絕緣層的厚度，ε是第二絕緣層的介電常量，k是靜電力恒量。

其中，第二絕緣層的厚度為

為解決上述技術問題，本發明還提供了一種TFT-LCD陣列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上依次形成柵線和包括第一過孔的第一絕緣層；設置第一連接電極、源電極、漏電極和數據線，其中第一連接電極通過第一過孔與柵線連接，同時還連接數據線；依次設置第二絕緣層和像素電極。

其中，第一過孔形成在柵線上，并穿過第一絕緣層以露出柵線。

其中，第二絕緣層厚度小于第一絕緣層厚度。

其中，像素電極和柵線的重疊區域形成存儲電容，其中第二絕緣層形成存儲電容的介質層。