[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201410380467.3
• 申請日: 2014-08-04
• 公開（公告）號: CN104183604A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種TFT-LCD陣列基板，其特征在于，包括柵線和數據線，所述柵線和所述數據線限定的像素區域內形成有像素電極和薄膜晶體管，所述像素區域內還設置有第一連接電極，所述第一連接電極通過第一過孔與所述柵線連接，同時還連接所述數據線。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵線上設置第一絕緣層，所述第一過孔穿過所述第一絕緣層，露出所述柵線。

3.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一連接電極通過所述第一過孔設置在所述柵線上。

4.根據權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一連接電極上設置所述第二絕緣層，所述第二絕緣層厚度小于所述第一絕緣層厚度。

5.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層上設置所述像素電極，所述像素電極和所述柵線的重疊區域形成存儲電容，其中所述第二絕緣層形成所述存儲電容的介質層，所述存儲電容的電容值為：C＝ε·S/4πkd；

其中S是所述重疊區域的面積，d是所述第二絕緣層的厚度，ε是所述第二絕緣層的介電常量，k是靜電力恒量。

6.根據權利要求5所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層的厚度為

7.一種TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上依次形成柵線和包括第一過孔的第一絕緣層；

設置第一連接電極、源電極、漏電極和數據線，其中所述第一連接電極通過所述第一過孔與所述柵線連接，同時還連接所述數據線；

依次設置第二絕緣層和像素電極。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一過孔形成在所述柵線上，并穿過所述第一絕緣層以露出所述柵線。

9.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二絕緣層厚度小于所述第一絕緣層厚度。

10.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述像素電極和所述柵線的重疊區域形成存儲電容，其中所述第二絕緣層形成所述存儲電容的介質層。