[發明專利]發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410379682.1
• 申請日: 2014-08-04
• 公開（公告）號: CN104348084B
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 濱口達史;倉本大;前田勇樹;風田川統之
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187;H01S5/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙

公開了一種發光元件及其制造方法。該制造方法順序地包括(a)形成具有凸部形狀的第一光反射層；(b)通過層疊第一化合物半導體層、活性層和第二化合物半導體層而形成層疊結構體；(c)在第二化合物半導體層的第二表面上形成第二電極和由多層膜形成的第二光反射層；(d)將第二光反射層固定至支撐基板；(e)去除用于制造發光元件的基板，并暴露出第一化合物半導體層的第一表面和第一光反射層；(f)蝕刻第一化合物半導體層的第一表面；以及(g)至少在第一化合物半導體層的已蝕刻的第一表面上形成第一電極。

相關申請的交叉引用

本申請要求享有2013年8月9日提交的日本優先權專利申請JP2013-166571的權益，該專利申請的全部內容并入本文以供參考。

技術領域

本公開內容涉及發光元件及其制造方法。

背景技術

例如可由日本未審專利申請公開文本第2010-123921號獲知由氮化物半導體構成的表面發射激光器元件(垂直共振器激光器，VCSEL)。該未審專利公開文本中公開的表面發射激光器元件是通過以下方式制造的：形成其中在基板上層疊第二導電層、發光層和第一導電層的氮化物半導體的層疊主體，在第一導電層上形成由電介質多層膜形成的第一黑色反射器，在第一黑色反射器上形成與第一導電層電連接的第一電極，通過所述第一黑色反射器和第一電極將所述層疊主體接合到支撐基板，通過從所述層疊主體去除基板而暴露出第二導電層，并在暴露出第二導電層的表面上形成第二電極、以及由電介質多層膜形成并設置為與第一黑色反射器相對的第二黑色反射器。

盡管通過從層疊主體去除一部分或者全部基板來暴露出第二導電層，但是可使用激光剝離方法、拋光、蝕刻等等去除所述基板。通過基于使用適宜拋光劑的化學/機械拋光(CMP)方法、使用適宜蝕刻劑的蝕刻法等等對第二導電層的暴露表面進行鏡面精加工，將第二導電層表面造成的光的散射抑制至最低限度。以任意順序在第二導電層的鏡面精加工表面上形成第二電極和第二黑色反射器。

順便提及，在基板的表面上，重要的是實現每個表面發射激光器元件中的由第一黑色反射器、層疊主體和第二黑色反射器形成的共振器的長度(更具體地說，層疊主體的厚度)的均勻性。因此，重要的是抑制在基于CMP方法的第二導電層的去除量在基板的表面上發生變化。然而，在所述未審專利公開文本中沒有提及用于抑制第二導電層的去除量在基板的表面上發生變化的手段。存在這樣的問題，當在第二導電層的鏡面精加工表面上形成第二電極時，第二導電層和第二電極之間的接觸電阻容易升高。

發明內容

因此，所希望的是提供一種發光元件及其制造方法，該發光元件的配置和結構能夠實現共振器長度的均勻性。還希望的是提供一種具有能抑制GaN基化合物半導體層與電極之間的接觸電阻升高的配置和結構的發光元件，及其制造方法。

根據本公開內容的第一實施例，提供一種發光元件制造方法，順序地包括(a)在用于制造發光元件的基板上形成具有凸部形狀且由多層膜形成的第一光反射層；(b)在包括第一光反射層的用于制造發光元件的基板上，通過層疊第一化合物半導體層、活性層和第二化合物半導體層而形成層疊結構體，第一化合物半導體層由GaN基化合物半導體形成且具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，活性層由GaN基化合物半導體形成并接觸第一化合物半導體層的第二表面，第二化合物半導體層由GaN基化合物半導體形成并具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，其中第二化合物半導體層的第一表面接觸活性層；(c)在第二化合物半導體層的第二表面上，形成第二電極和由多層膜形成的第二光反射層；(d)將第二光反射層固定至支撐基板；(e)去除用于制造發光元件的基板，并暴露出第一化合物半導體層的第一表面和第一光反射層；(f)蝕刻第一化合物半導體層的第一表面；以及(g)至少在已蝕刻的第一化合物半導體層的第一表面上形成第一電極。