[發明專利]發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410379682.1
• 申請日: 2014-08-04
• 公開（公告）號: CN104348084B
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 濱口達史;倉本大;前田勇樹;風田川統之
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187;H01S5/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙

1.一種發光元件制造方法，順序地包括：

(a)在用于制造發光元件的基板上形成具有凸部形狀且由多層膜形成的第一光反射層；

(b)通過在包括所述第一光反射層的所述用于制造發光元件的基板上層疊第一化合物半導體層、活性層和第二化合物半導體層而形成層疊結構體，所述第一化合物半導體層由GaN基化合物半導體形成且具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面，所述活性層由GaN基化合物半導體形成并接觸所述第一化合物半導體層的第二表面，所述第二化合物半導體層由GaN基化合物半導體形成并具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面，其中所述第二化合物半導體層的第一表面接觸所述活性層；

(c)在所述第二化合物半導體層的第二表面上形成第二電極以及在所述第二電極上由多層膜形成第二光反射層；

(d)將所述第二光反射層固定至支撐基板；

(e)去除所述用于制造發光元件的基板，并暴露出所述第一化合物半導體層的第一表面和所述第一光反射層；

(f)蝕刻所述第一化合物半導體層的第一表面；以及

(g)至少在所述第一化合物半導體層的已蝕刻的第一表面上形成第一電極。

2.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，

其中在(e)中的暴露出所述第一化合物半導體層的第一表面和所述第一光反射層的工序是基于化學/機械拋光方法執行的。

3.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，

其中基于反應離子蝕刻法，蝕刻所述第一化合物半導體層的第一表面的要在其上形成所述第一電極的部分。

4.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，

其中所述第二光反射層的形心不在穿過所述第一光反射層的形心的相對于所述第一光反射層的法線上。

5.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，

其中所述活性層的形心不在穿過所述第一光反射層的形心的相對于所述第一光反射層的法線上。

6.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，

其中第二電極由透明導電材料形成。

7.根據權利要求1所述的發光元件制造方法，

其中滿足R₂/R₁≤1，其中第一化合物半導體層的第一表面的與第一光反射層接觸的部分的接觸電阻值是R₁，第一化合物半導體層的第一表面的其上形成第一電極的部分的接觸電阻值是R₂。

8.一種發光元件制造方法，順序地包括：

(a)在用于制造發光元件的基板上形成凸部，該凸部由與構成第一化合物半導體層的材料不同的材料形成；

(b)在包括所述凸部的所述用于制造發光元件的基板上通過層疊第一化合物半導體層、活性層和第二化合物半導體層而形成層疊結構體，所述第一化合物半導體層由GaN基化合物半導體形成且具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面，所述活性層由GaN基化合物半導體形成并接觸所述第一化合物半導體層的第二表面，所述第二化合物半導體層由GaN基化合物半導體形成并具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面，其中所述第二化合物半導體層的第一表面接觸所述活性層；

(c)在所述第二化合物半導體層的第二表面上形成第二電極以及在所述第二電極上由多層膜形成第二光反射層；

(d)將所述第二光反射層固定至支撐基板；

(e)去除所述用于制造發光元件的基板，并暴露出所述第一化合物半導體層的第一表面和所述凸部；以及

(f)去除所述凸部，至少在所述第一化合物半導體層上的第一表面的去除了凸部的部分上形成由多層膜形成的第一光反射層，并且至少在所述第一化合物半導體層的第一表面的要在其上形成第一電極的部分上形成所述第一電極。

9.根據權利要求8所述的發光元件制造方法，

其中在(e)中的暴露出所述第一化合物半導體層的第一表面和所述凸部的工序是基于化學/機械拋光方法執行的。