[發(fā)明專利]靜態(tài)存儲(chǔ)器的在線失效分析方法及在線電子束檢測(cè)設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410377359.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104103542B | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟;郭明升 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜態(tài) 存儲(chǔ)器 在線 失效 分析 方法 電子束 檢測(cè) 設(shè)備 | ||
1.一種靜態(tài)存儲(chǔ)器的在線失效分析方法,其特征在于,利用在線電子束檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述靜態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行在線失效分析,所述在線電子束檢測(cè)設(shè)備具有一腔體,其包括:
將不同類型的探針安裝到在線電子束檢測(cè)設(shè)備的腔體中;
在晶圓上的靜態(tài)存儲(chǔ)器上制備出接觸孔后,將所述晶圓置于在線電子束檢測(cè)設(shè)備的腔體中;
利用在線電子束檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述接觸孔進(jìn)行掃描并獲得所述靜態(tài)存儲(chǔ)器中所述接觸孔的圖像信息;
根據(jù)所述接觸孔的圖像信息找出產(chǎn)生缺陷的接觸孔;
根據(jù)所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔的類型來(lái)選擇與之相對(duì)應(yīng)的所述探針;
所述在線電子束檢測(cè)設(shè)備控制所選擇的探針與相應(yīng)的所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔相接觸,并進(jìn)行電性能檢測(cè);
根據(jù)所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔在所述靜態(tài)存儲(chǔ)器單元中的功能,所述在線電子束檢測(cè)設(shè)備將所述探針進(jìn)行組合來(lái)檢測(cè)所述功能并進(jìn)行失效分析;
檢測(cè)到所述功能失效,則所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔是導(dǎo)致所述靜態(tài)存儲(chǔ)器失效的原因。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲(chǔ)器的在線失效分析方法,其特征在于,所述在線電子束檢測(cè)設(shè)備具有探針讀取模塊,所述在線失效分析方法包括:
將不同類型的探針安裝到在線電子束檢測(cè)設(shè)備的腔體中;
在晶圓的靜態(tài)存儲(chǔ)器上制備出接觸孔后,將所述晶圓置于在線電子束檢測(cè)設(shè)備的腔體中;
利用在線電子束檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述接觸孔進(jìn)行掃描并獲得所述靜態(tài)存儲(chǔ)器中所述接觸孔的圖像信息;
所述在線電子束檢測(cè)設(shè)備將所述將接觸孔的圖像信息存儲(chǔ)到所述探針讀取模塊中;
根據(jù)所述接觸孔的圖像信息找出產(chǎn)生缺陷的接觸孔;
所述探針讀取模塊根據(jù)所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔的類型來(lái)選擇與之相對(duì)應(yīng)的所述探針;
所述探針讀取模塊控制所選擇的探針與相應(yīng)的所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔相接觸,并進(jìn)行電性能檢測(cè);
根據(jù)所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔在所述靜態(tài)存儲(chǔ)器單元中的功能,所述探針讀取模塊將所述探針進(jìn)行組合來(lái)檢測(cè)所述功能并進(jìn)行失效分析;
所述探針讀取模塊記錄所述探針組合的位置信息;
對(duì)下一個(gè)相同類型的產(chǎn)生缺陷的所述接觸孔,所述探針讀取模塊自動(dòng)調(diào)取所述探針組合的位置信息來(lái)控制所述探針進(jìn)行組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜態(tài)存儲(chǔ)器的在線失效分析方法,其特征在于,對(duì)同一批次的晶圓的失效分析完成后,所述探針讀取模塊控制所述探針恢復(fù)到原有位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜態(tài)存儲(chǔ)器的在線失效分析方法,其特征在于,在所述利用在線電子束檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述接觸孔進(jìn)行掃描之前,或在所述探針讀取模塊根據(jù)所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔的類型來(lái)選擇與之相對(duì)應(yīng)的所述探針之前,在所述探針讀取模塊中預(yù)存儲(chǔ)所述接觸孔的各個(gè)類型;所述探針讀取模塊根據(jù)所預(yù)存儲(chǔ)的所述接觸孔的類型,確定所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔的類型。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲(chǔ)器的在線失效分析方法,其特征在于,所述找出產(chǎn)生缺陷的接觸孔包括:首先,設(shè)定所述接觸孔的圖像信息中的最小重復(fù)單元;然后,比較所述最小重復(fù)單元中的各個(gè)接觸孔,同一位置上產(chǎn)生亮度變化的接觸孔即為所述產(chǎn)生缺陷的接觸孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲(chǔ)器的在線失效分析方法,其特征在于,所述功能為存儲(chǔ)器功能,所述探針組合包括檢測(cè)所述存儲(chǔ)器功能的組合,所述探針組合與所述存儲(chǔ)器的電路等效。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲(chǔ)器的在線失效分析方法,其特征在于,所述功能為反向器功能,所述探針組合包括檢測(cè)所述反向器功能的組合,所述探針組合與所述反向器的電路等效。
8.一種在線電子束檢測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述在線電子束檢測(cè)設(shè)備包括:不同類型的探針,用于與晶圓上的靜態(tài)存儲(chǔ)器的接觸孔相接觸,或進(jìn)行組合后與所述接觸孔相接觸,利用該檢測(cè)設(shè)備對(duì)接觸孔進(jìn)行掃描并獲得靜態(tài)存儲(chǔ)器中的接觸孔的圖像信息,根據(jù)該圖像信息找出產(chǎn)生缺陷的接觸孔,根據(jù)產(chǎn)生缺陷的接觸孔的類型來(lái)選擇相應(yīng)的探針并控制所選擇的探針與產(chǎn)生缺陷的接觸孔相接觸,根據(jù)產(chǎn)生缺陷的接觸孔在靜態(tài)存儲(chǔ)器單元中的功能來(lái)將探針進(jìn)行組合以檢測(cè)該功能并進(jìn)行失效分析。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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