[發明專利]用于首層金屬至柵極的異常檢測的層間介質測試結構

有效

• 申請號: 201410377113.3
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN105336730B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 何蓮群;鄭鵬飛;高玉珠;趙永
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01R31/26
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐潔晶

1.一種用于首層金屬至柵極的異常檢測的層間介質測試結構，包括一個或多個測試單元(200)，所述測試單元(200)包括：

柵極層(201)，位于一半導體襯底的上方；

層間介質層，位于所述柵極層(201)的上方，由非導電性材料構成；以及

首層金屬層(203)，位于所述層間介質層的上方；

其中，所述柵極層(201)向上通過多個通孔與柵極測試端口(204)相連接，所述柵極測試端口(204)與所述首層金屬層(203)位于同一水平層，但互相不接觸；所述首層金屬層(203)直接通過首金測試端口(205)引出；所述柵極測試端口(204)和所述首金測試端口(205)中一個接測試電壓，另一個接地；其中，所述測試單元(200)排成矩形陣列，形成測試陣列(210)；

其中，每個所述測試單元(200)的所述柵極層(201)通過柵極連接線(206)與相鄰的其它所述測試單元(200)的所述柵極層(201)相連接；每個所述測試單元(200)的所述首層金屬層(203)通過首金連接線(207)與相鄰的其它所述測試單元(200)的所述首層金屬層(203)相連接；所述測試陣列(210)的一側邊緣的每個所述測試單元(200)的所述柵極層(201)分別向上通過多個通孔與一公共連接線(208)相連接，所述公共連接線(208)向外延伸出多個柵極層測試端口(211)；所述測試陣列(210)的相對的另一側邊緣的每個所述測試單元(200)的所述首層金屬層(203)直接分別向外延伸出多個首金層測試端口(212)；所述柵極層測試端口(211)和所述首金層測試端口(212)中一個接測試電壓，另一個接地。

2.根據權利要求1所述的層間介質測試結構，其特征在于，所述柵極連接線(206)和所述首金連接線(207)在上下方向上的位置是重合的。

3.根據權利要求2所述的層間介質測試結構，其特征在于，所述柵極層(201)的材質為多晶硅。

4.根據權利要求3所述的層間介質測試結構，其特征在于，所述首層金屬層(203)的材質為鋁或者銅。

5.根據權利要求4所述的層間介質測試結構，其特征在于，所述層間介質層的材質為二氧化硅或者氮化硅。

6.根據權利要求5所述的層間介質測試結構，其特征在于，所述半導體襯底內具有有源區。