[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410376872.8
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN105304631B
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 張家偉;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 湯在彥

1.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括：

一P型基板；

一N型區，接觸該P型基板；

一N+型摻雜區，位于該N型區中；

一第一P+型摻雜區，位于該N型區中；

一第二P+型摻雜區，位于該N型區中；

一P型埋層，位于該N型區下方的該P型基板中并與該N型區接觸；

一N型摻雜區，位于該P型埋層與該N型區接觸的接觸面下方的該P型基板中；以及

一柵極結構，位于該第一P+型摻雜區與該第二P+型摻雜區之間的該N型區上；

其中，該P型埋層與該N型摻雜區接觸的一面的面積大于該P型埋層與該N型區接觸的一面的面積。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該P型埋層的一部分位于該N型摻雜區中，該P型埋層的其他部分不位于該N型摻雜區中。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該N型摻雜區為一N型埋層或一深N型井區。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置還包括：

一外延層，形成于該P型埋層上；

其中該N型區為一高電壓N型井區且位于該外延層中。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該N型區包括：

一N型外延層，形成于該P型埋層上；以及

一高電壓N型井區，位于該N型外延層中，該高電壓N型井區不接觸該P型埋層；

其中，該第一P+型摻雜區、第二P+型摻雜區以及N+型摻雜區均是形成在高電壓N型井區中。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該N型區為一N型外延層或一高電壓N型井區。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置還包括：

一第一隔離結構，位于該N+型摻雜區與該第一P+型摻雜區之間的該N型區表面。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置還包括：

一P型重摻雜漏極區，位于該N型區中，其中該第二P+型摻雜區位于該P型重摻雜漏極區中；以及

一第二隔離結構，位于該P型重摻雜漏極區的表面并緊鄰該第二P+型摻雜區，其中該柵極結構的一部分覆蓋該第二隔離結構。

9.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括：

一P型基板；

一N型金屬氧化物半導體裝置；以及

一P型金屬氧化物半導體裝置，包括：

一第一N型區，接觸該P型基板；

一第一N+型摻雜區，位于該第一N型區中；

一第一P+型摻雜區，位于該第一N型區中；

一第二P+型摻雜區，位于該第一N型區中；

一第一柵極結構，位于該第一P+型摻雜區與該第二P+型摻雜區之間的該第一N型區上；

一P型埋層，位于該第一N型區下方的該P型基板中并與該第一N型區接觸；以及

一N型摻雜區，位于該P型埋層與該第一N型區接觸的接觸面下方的該P型基板中；

其中，該P型埋層與該N型摻雜區接觸的一面的面積大于該P型埋層與該第一N型區接觸的一面的面積。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，該N型摻雜區為一N型埋層或一深N型井區。

11.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，該P型金屬氧化物半導體裝置還包括：

一第一隔離結構，位于該第一N+型摻雜區與該第一P+型摻雜區之間的該第一N型區表面。

12.如權利要求9項所述的半導體裝置，其特征在于，該P型金屬氧化物半導體裝置還包括：

一P型重摻雜漏極區，位于該第一N型區中，其中該第二P+型摻雜區位于該P型重摻雜漏極區中；以及

一第二隔離結構，位于該P型重摻雜漏極區的表面并緊鄰該第二P+型摻雜區，其中該第一柵極結構的一部分覆蓋該第二隔離結構。

13.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，該N型金屬氧化物半導體裝置為一橫向擴散N型金屬氧化物半導體裝置。