[發明專利]氧化銦錫低溫沉積方法及系統

在審

• 申請號: 201410374901.7
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN104120397A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 許生;王學雷;許朝陽
• 申請（專利權）人: 深圳市豪威薄膜技術有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 深圳市弘拓知識產權代理事務所(普通合伙) 44320
• 代理人: 彭年才

技術領域

本發明涉及薄膜沉積技術領域，具體涉及一種氧化銦錫低溫沉積方法及系統。

背景技術

氧化銦錫（簡稱ITO）的真空鍍膜技術發展的越來越成熟，尤其是在比較高的溫度下，氧化銦錫的鍍膜技術已經接近完善，但在低溫度尤其是室溫的狀態下，氧化銦錫的鍍膜技術就不那么成熟，在低溫狀態下的氧化銦錫成膜質量也非常的不高，進而影響其產品的功能。??

現在觸摸屏市場上單片式觸摸屏走的是先印刷油墨，然后再鍍氧化銦錫，油墨不耐高溫尤其是白色油墨和彩色油墨，對溫度很是敏感，再加上觸摸屏用的透明氧化銦錫導電膜，基材是不耐高溫的PET卷材，根本不能承受高溫。

目前，氧化銦錫的真空鍍膜主要采以下三種方式：

1.??ITO?玻璃的高溫鍍膜，即是在很高的溫度下，沉積ITO膜。此鍍膜方式不足在于，缺點就是溫度高，?不適合不耐高溫的基材沉積ITO膜，導致成膜質量在光學性能和其他性能方面不高。

2.?用特殊陰極加特殊電源，可以低溫沉積ITO膜，但溫度低是相對ITO高溫而言，不是真正的低溫鍍或室溫鍍ITO膜。此鍍膜方式不足在于，溫度低是相對的，也不是真正的低溫鍍膜，一般溫度也在150℃以上。

3.??通過特殊的靶材比如95:5或97:3的氧化銦錫靶材，通入特殊氣體如氫氣、氮氣等低溫制備ITO膜。此鍍膜方式不足在于，對氧化銦錫靶材有要求，需要特殊比例的氧化銦錫靶材，還需要通入氫氣、氮氣等特殊反應氣體。

另外，現有的一些所謂低溫鍍膜，通常遇到的問題是低溫狀態或室溫狀態如何結晶，以及如何獲得低電阻率ITO膜。為降低電阻率，有些采用更低含錫量的靶材，如氧化銦：氧化錫為95：5或者97：3，但是犧牲了透過率，使透過率不高。

發明內容

有鑒于此，提供一種低電阻率、鍍膜質量高、結晶性好的氧化銦錫低溫沉積方法及系統。

一種氧化銦錫低溫沉積方法，其包括以下步驟：

將基材置于真空鍍膜室內，所述真空鍍膜室內具有氧化銦錫靶材，在所述氧化銦錫靶材周圍安裝冷卻脫汽裝置；

用冷卻脫汽裝置對基材進行脫汽處理，去除水汽和雜質氣體；

控制所述氧化銦錫靶材的表面磁場強度在600-900高斯范圍內，在100℃溫度以下和工作氣體下進行真空鍍膜，在基材上形成氧化銦錫鍍膜。

以及，一種氧化銦錫低溫沉積系統，其包括真空鍍膜室、氧化銦錫靶材以及與靶材位置相對的基材支撐裝置，還包括用于致冷去除真空鍍膜室內水汽和雜質氣體的冷卻脫汽裝置以及磁場裝置，所述冷卻脫汽裝置安裝于氧化銦錫靶材周圍，所述磁場裝置發出的磁場使氧化銦錫靶材的表面磁場強度在600-900高斯范圍內。

上述氧化銦錫低溫沉積方法和系統在低溫，即不超過100℃下進行，通過冷卻脫汽裝置致冷，捕捉基材和氧化銦錫靶材周圍的水汽和雜質氣體，保證氧化銦錫在沉積的過程中，水汽和雜質氣體對其影響很小，從而提高鍍膜質量。由于脫汽裝置設于真空鍍膜室內，不需要額外設備以及單獨工序和場所，節省場地和工序，提高生產效率。另外，磁場裝置控制所述氧化銦錫靶材的表面磁場強度在600-900高斯范圍內，這樣可保證氧化銦錫在比較低的電壓和溫度下沉積，其電子沉積能量比較大，質量比較高，電阻率也相對比較低，氧化銦錫結晶性好。

附圖說明

圖1為本發明實施例的氧化銦錫低溫沉積系統結構示意圖。

圖2為本發明實施例的氧化銦錫低溫沉積方法得到的ITO鍍膜測得的X-RAY衍射峰圖。

具體實施方式

以下將結合具體實施例和附圖對本發明進行詳細說明。

請參閱圖1，示出本發明實施例提供的氧化銦錫低溫沉積系統10，其包括真空鍍膜室12、氧化銦錫靶材13以及與靶材13位置相對的基材支撐裝置14，還包括用于致冷去除真空鍍膜室12內水汽和雜質氣體的冷卻脫汽裝置15以及磁場裝置17，所述冷卻脫汽裝置15安裝于氧化銦錫靶材13周圍，磁場裝置17發出的磁場使氧化銦錫靶材的表面磁場強度在600-900高斯范圍內。