[發(fā)明專利]氧化銦錫低溫沉積方法及系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410374901.7
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN104120397A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許生;王學(xué)雷;許朝陽
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市豪威薄膜技術(shù)有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 深圳市弘拓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44320
• 代理人: 彭年才

1.一種氧化銦錫低溫沉積方法，其特征在于，包括以下步驟：

將基材置于真空鍍膜室內(nèi)，所述真空鍍膜室內(nèi)具有氧化銦錫靶材，在所述氧化銦錫靶材周圍安裝冷卻脫汽裝置；

用冷卻脫汽裝置對基材進行脫汽處理，去除水汽和雜質(zhì)氣體；

控制所述氧化銦錫靶材的表面磁場強度在600-900高斯范圍內(nèi)，在100℃溫度以下和工作氣體下進行真空鍍膜，在基材上形成氧化銦錫鍍膜。

2.如權(quán)利要求1所述的氧化銦錫低溫沉積方法，其特征在于，所述氧化銦錫靶材中氧化銦和氧化錫的重量百分比范圍分別為85-90%和10-15%。

3.如權(quán)利要求1所述的氧化銦錫低溫沉積方法，其特征在于，所述冷卻脫汽裝置為冷阱。

4.如權(quán)利要求3所述的氧化銦錫低溫沉積方法，其特征在于，所述冷阱包括低溫捕集泵和/或低溫冷凝泵。

5.如權(quán)利要求1所述的氧化銦錫低溫沉積方法，其特征在于，在脫汽處理前先將基材加熱，使所述基材中的水汽和氣體雜質(zhì)釋放出來。

6.如權(quán)利要求1所述的氧化銦錫低溫沉積方法，其特征在于，所述工作氣體為氬氧混合氣，鍍膜前真空度控制在1.0*10-3Pa以下，鍍膜時真空度在1.0*10-1Pa-5.0*10-1Pa范圍內(nèi)。

7.如權(quán)利要求1所述的氧化銦錫低溫沉積方法，其特征在于，所述真空鍍膜開機溫度為20-50°C，鍍膜操作時鍍膜室內(nèi)溫度為70-80°C。

8.一種氧化銦錫低溫沉積系統(tǒng)，其包括真空鍍膜室、氧化銦錫靶材以及與靶材位置相對的基材支撐裝置，其特征在于，還包括用于致冷去除真空鍍膜室內(nèi)水汽和雜質(zhì)氣體的冷卻脫汽裝置以及磁場裝置，所述冷卻脫汽裝置安裝于氧化銦錫靶材周圍，所述磁場裝置發(fā)出的磁場使氧化銦錫靶材的表面磁場強度在600-900高斯范圍內(nèi)。

9.如權(quán)利要求8所述的氧化銦錫低溫沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述冷卻脫汽裝置為冷阱，所述冷阱包括低溫捕集泵和/或低溫冷凝泵。

10.如權(quán)利要求8所述的氧化銦錫低溫沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述冷卻脫汽裝置配有用于對基材預(yù)先加熱的加熱器。