[發明專利]用于具有多個半導體器件層的半導體結構的系統和方法

在審

• 申請號: 201410371182.3
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN104637951A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 林以唐;蔡俊雄;萬幸仁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種具有多個半導體器件層的半導體結構，所述半導體結構包括：

第一掩埋氧化物；

第一半導體器件層，制造在所述第一掩埋氧化物之上，且包括圖案化的頂部表面；

毯式層，包括制造在所述圖案化的頂部表面上方的絕緣體材料；

第二掩埋氧化物，接合至所述毯式層；以及

第二半導體器件層，制造在所述第二掩埋氧化物之上。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，由第一類型的溝道材料制造所述第一半導體器件層，并且由第二類型的溝道材料制造所述第二半導體器件層。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其中，所述第一類型的溝道材料不同于所述第二類型的溝道材料。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，一種類型的器件僅制造在所述第一半導體器件層和所述第二半導體器件層的一個上，并且另一種類型的器件僅制造在所述第一半導體器件層和所述第二半導體器件層的另一個上。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，一種類型的器件包括PMOS器件，并且另一種類型的器件包括NMOS器件。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一掩埋氧化物和所述第一半導體器件層均由絕緣體上半導體(“SOI”)襯底產生。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中，所述第二掩埋氧化物和所述第二半導體器件層均由絕緣體上半導體(“SOI”)襯底產生。

8.一種制造多個半導體器件層結構的方法，所述方法包括：

提供第一晶圓，所述第一晶圓包括接合至第一掩埋氧化物層的第一溝道材料；

由所述第一溝道材料制造第一半導體器件層，所述第一半導體器件層包括圖案化的頂部表面；

制造毯式層，所述毯式層包括位于所述圖案化的頂部表面上方的絕緣體材料；

提供第二晶圓，所述第二晶圓包括接合至第二掩埋氧化物層的第二溝道材料；

將所述第二掩埋氧化物層接合至所述毯式層；

由所述第二溝道材料制造第二半導體器件層；以及

將所述第一半導體器件層的部件與所述第二半導體器件層的部件互連。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一溝道材料和所述第二溝道材料不同。

10.一種制造多個半導體器件層結構的方法，所述方法包括：

提供第一SOI晶圓，所述第一SOI晶圓包括接合至第一掩埋氧化物層的第一溝道材料；

由所述第一溝道材料制造第一半導體器件層，所述第一半導體器件層包括圖案化的頂部表面；

制造毯式層，所述毯式層包括位于所述圖案化的頂部表面上方的絕緣體材料；

將包括第二溝道材料和第二掩埋氧化物的第二晶圓接合至所述毯式層；以及

由所述第二溝道材料制造第二半導體器件層。