[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410366838.2 | 申請日： | 2014-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN104617141B | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李容源;韓振宇;黃大元;金慶旭 | 申請（專利權(quán)）人： | 美格納半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;鄭斌 |
| 地址： | 韓國忠*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
具有某一濃度的襯底；
具有另一濃度的反向摻雜區(qū)，所述反向摻雜區(qū)設(shè)置在所述襯底中并且使得所述另一濃度低于所述某一濃度；
包括所述反向摻雜區(qū)的肖特基勢壘二極管(SBD)區(qū)；
設(shè)置在所述肖特基勢壘二極管(SBD)區(qū)中的阱區(qū)；
其中所述反向摻雜區(qū)包括設(shè)置在所述肖特基勢壘二極管(SBD)區(qū)中的第一摻雜區(qū)，以及設(shè)置在所述阱區(qū)中的第二摻雜區(qū)，
其中所述反向摻雜區(qū)設(shè)置為具有比所述阱區(qū)的深度更淺的深度；以及
其中所述半導(dǎo)體器件還包括在所述襯底中的具有第一深度的第一溝槽和在所述襯底中的具有第二深度的第二溝槽，所述第一深度深于所述第二深度；以及其中所述第一溝槽設(shè)置在MOSFET區(qū)與肖特基勢壘二極管(SBD)區(qū)之間的邊界線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括與所述反向摻雜區(qū)接觸的金屬層，其中
所述襯底具有某一導(dǎo)電類型；以及
所述肖特基勢壘二極管還包括所述金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括具有另一種導(dǎo)電類型并且設(shè)置在所述襯底中的體區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述反向摻雜區(qū)還包括：
設(shè)置在所述體區(qū)中的第三摻雜區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三摻雜區(qū)具有比所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度更高的摻雜濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中
所述體區(qū)包括第一體區(qū)和第二體區(qū)；
所述阱區(qū)包括第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū)；以及
所述第一體區(qū)由所述第一阱區(qū)或所述第三阱區(qū)包圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一溝槽包括頂部多晶Si層、底部多晶Si層以及設(shè)置在所述頂部多晶Si層與所述底部多晶Si層之間的絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述體區(qū)具有比所述阱區(qū)更小的深度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述阱區(qū)的深度小于所述第一溝槽的深度。
10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：
形成具有第一導(dǎo)電類型的襯底；
使用具有第二導(dǎo)電類型的摻雜劑向襯底區(qū)中執(zhí)行離子注入，由此在所述襯底區(qū)中形成反向摻雜區(qū)；
在所述襯底區(qū)中形成溝槽；
形成相鄰于所述溝槽的體區(qū)；以及
形成相鄰于所述溝槽并且設(shè)置在肖特基勢壘二極管(SBD)區(qū)中的阱區(qū)，
其中所述反向摻雜區(qū)包括設(shè)置在所述肖特基勢壘二極管(SBD)區(qū)中的第一摻雜區(qū)，以及設(shè)置在所述阱區(qū)中的第二摻雜區(qū)，所述反向摻雜區(qū)配置成減小所述襯底的頂部處的凈摻雜濃度；
其中所述反向摻雜區(qū)設(shè)置為具有比所述阱區(qū)的深度更淺的深度；以及
所述形成溝槽包括形成多個(gè)溝槽，所述多個(gè)溝槽包括在所述襯底中的具有第一深度的第一溝槽和在所述襯底中的具有第二深度的第二溝槽，所述第一深度深于所述第二深度；以及其中所述第一溝槽設(shè)置在MOSFET區(qū)與肖特基勢壘二極管(SBD)區(qū)之間的邊界線上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中
所述形成體區(qū)包括形成具有所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；
所述形成阱區(qū)包括形成具有所述第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)；以及
所述第一溝槽直接接觸所述阱區(qū)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中所述體區(qū)具有比所述阱區(qū)的深度更小的深度，并且所述阱區(qū)的深度小于所述溝槽的深度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
