[發(fā)明專(zhuān)利]光電調(diào)變堆疊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410364810.5
• 申請(qǐng)日: 2014-07-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105320330B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李杏櫻;唐大慶;盧添榮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京瀚宇彩欣科技有限責(zé)任公司;瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F3/041
• 分類(lèi)號(hào): G06F3/041;G02B1/11
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

一種光電調(diào)變堆疊包括基板、多個(gè)觸控感測(cè)單元、至少第一抗擾斑塊以及納米結(jié)構(gòu)層。觸控感測(cè)單元共平面地設(shè)置于基板上，相鄰的觸控感測(cè)單元之間形成第一間隙區(qū)。第一抗擾斑塊設(shè)置于第一間隙區(qū)內(nèi)，第一抗擾斑塊的寬度遠(yuǎn)小于基板或觸控感測(cè)單元的寬度。納米結(jié)構(gòu)層設(shè)置于第一抗擾斑塊下，并具有多個(gè)納米結(jié)構(gòu)。當(dāng)光線通過(guò)這些納米結(jié)構(gòu)及第一抗擾斑塊時(shí)，光線的光學(xué)特性改變。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種調(diào)變堆疊，特別涉及一種光電調(diào)變堆疊。

背景技術(shù)

近年來(lái)，觸控技術(shù)已經(jīng)逐漸廣泛應(yīng)用于一般的消費(fèi)性電子商品上，例如行動(dòng)通訊裝置、數(shù)字相機(jī)、數(shù)字音樂(lè)播放器(MP3)、個(gè)人數(shù)字助理器(PDA)、衛(wèi)星導(dǎo)航器(GPS)、掌上型計(jì)算機(jī)(hand-held PC)，甚至嶄新的超級(jí)行動(dòng)計(jì)算機(jī)(Ultra Mobile PC,UMPC)等。然而，現(xiàn)有的觸控感測(cè)結(jié)構(gòu)遇到良率下降的問(wèn)題。

以一種習(xí)知的觸控感測(cè)堆疊來(lái)說(shuō)，其包含基板及多個(gè)觸控感測(cè)組件，觸控感測(cè)組件設(shè)置于基板上用以感測(cè)使用者的觸控而產(chǎn)生電信號(hào)，電信號(hào)經(jīng)過(guò)處理后即可得到使用者的觸控坐標(biāo)。然而，由于觸控感測(cè)組件之間僅隔10μm～30μm之間的間隙，因此當(dāng)工藝中有粒子掉落、刮傷產(chǎn)生或是彎折觸控感測(cè)組件時(shí)，左右或上下相鄰的觸控感測(cè)組件很容易形成短路，而造成觸控功能失效以及良率下降。

另外，在一揭露技術(shù)中(美國(guó)專(zhuān)利號(hào)US20040063041A)，基板上還設(shè)置抗眩聚亞酰胺涂層，以對(duì)外界入射光提供抗眩(anti-glare)效果。而如何將此抗眩功能應(yīng)用至觸控感測(cè)顯示器也是重要課題。此外，對(duì)發(fā)光裝置或顯示裝置而言，出光具有良好的特性也是相當(dāng)重要的。

因此，如何提供一種光電調(diào)變堆疊，能夠解決上述短路的問(wèn)題，并提升觸控效能、產(chǎn)品良率、出光特性與產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)為當(dāng)前重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于提供一種光電調(diào)變堆疊，能夠解決工藝中造成短路的問(wèn)題，并提升觸控效能、產(chǎn)品良率、出光特性與產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一種光電調(diào)變堆疊包括基板、多個(gè)觸控感測(cè)單元、至少第一抗擾斑塊以及納米結(jié)構(gòu)層。觸控感測(cè)單元共平面地設(shè)置于基板上，相鄰的觸控感測(cè)單元之間形成第一間隙區(qū)。第一抗擾斑塊設(shè)置于第一間隙區(qū)內(nèi)，第一抗擾斑塊的寬度遠(yuǎn)小于基板或觸控感測(cè)單元的寬度。納米結(jié)構(gòu)層設(shè)置于第一抗擾斑塊下，并具有多個(gè)納米結(jié)構(gòu)。當(dāng)光線通過(guò)這些納米結(jié)構(gòu)及第一抗擾斑塊時(shí)，光線的光學(xué)特性改變。

在一個(gè)實(shí)施例中，第一抗擾斑塊呈彎折樣式。

在一個(gè)實(shí)施例中，光電調(diào)變堆疊更包括接地單元以及至少第二抗擾斑塊。接地單元與所述多個(gè)觸控感測(cè)單元共平面，且與相鄰的觸控感測(cè)單元之間形成第二間隙區(qū)。第二抗擾斑塊設(shè)置于第二間隙區(qū)內(nèi)，第二抗擾斑塊的寬度遠(yuǎn)小于基板或觸控感測(cè)單元的寬度，納米結(jié)構(gòu)層更設(shè)置于第二抗擾斑塊下。

在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)該第一抗擾斑塊設(shè)置于相鄰觸控感測(cè)單元所形成的第一間隙區(qū)之間，使相鄰觸控感測(cè)單元的間距加大、不會(huì)受到后續(xù)工藝的粒子污染而形成短路，從而提供電性抗擾的效用。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述后續(xù)工藝至少包括機(jī)械薄化工藝、化學(xué)薄化工藝、機(jī)械化學(xué)薄化工藝、黃光工藝、薄膜沉積工藝、和/或薄膜蝕刻工藝。

在一個(gè)實(shí)施例中，光電調(diào)變堆疊更包含絕緣層，其具有抗眩(anti-glare)性質(zhì)。

在一個(gè)實(shí)施例中，基板為軟性基板或剛性基板。

在一個(gè)實(shí)施例中，納米結(jié)構(gòu)包含納米銅或納米銀。

在一個(gè)實(shí)施例中，納米結(jié)構(gòu)層更包括基質(zhì)，這些納米結(jié)構(gòu)設(shè)置于基質(zhì)內(nèi)。

在一個(gè)實(shí)施例中，基質(zhì)與這些納米結(jié)構(gòu)的折射率不同。