[發明專利]光電調變堆疊有效
| 申請號： | 201410364810.5 | 申請日： | 2014-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN105320330B | 公開（公告）日： | 2018-09-14 |
| 發明（設計）人： | 李杏櫻;唐大慶;盧添榮 | 申請（專利權）人： | 南京瀚宇彩欣科技有限責任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041;G02B1/11 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 趙蓉民 |
| 地址： | 210038 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電 堆疊 | ||
1.一種光電調變堆疊，包括：
基板；
多個觸控感測單元，共平面地設置于所述基板上，相鄰的所述觸控感測單元之間形成第一間隙區；
至少第一抗擾斑塊，設置于所述第一間隙區內，所述第一抗擾斑塊的寬度遠小于所述基板或所述觸控感測單元的寬度；以及
納米結構層，設置于所述第一抗擾斑塊下，并具有多個納米結構；
當光線通過所述納米結構及所述第一抗擾斑塊時，所述光線的光學特性改變。
2.如權利要求1所述的光電調變堆疊，其中所述第一抗擾斑塊呈彎折樣式。
3.如權利要求1所述的光電調變堆疊，其中所述納米結構至少包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、摻鋅氧化銦(IZO)、AZO(摻鋁的ZNO)、GZO(摻鎵的ZNO)、碳納米管(CNT)、或石墨烯。
4.如權利要求1所述的光電調變堆疊，其中通過所述第一抗擾斑塊設置于相鄰觸控感測單元所形成的所述第一間隙區之間，使相鄰觸控感測單元的間距加大、不會受到后續工藝的粒子污染而形成短路，從而提供電性抗擾的效用。
5.如權利要求4所述的光電調變堆疊，其中所述后續工藝至少包括機械薄化工藝、化學薄化工藝、機械化學薄化工藝、黃光工藝、薄膜沉積工藝、和/或薄膜蝕刻工藝。
6.如權利要求1所述的光電調變堆疊，更包含絕緣層，其具有抗眩性質。
7.如權利要求1所述的光電調變堆疊，其中所述基板為軟性基板或剛性基板。
8.如權利要求1所述的光電調變堆疊，其中所述納米結構包含納米銅或納米銀。
9.如權利要求1所述的光電調變堆疊，其中所述納米結構層更包括基質，所述納米結構設置于所述基質內。
10.如權利要求9所述的光電調變堆疊，其中所述基質與所述納米結構的折射率不同。
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