[發明專利]太鼓減薄工藝的去環方法

有效

• 申請號: 201410363960.4
• 申請日: 2014-07-29
• 公開（公告）號: CN104517804B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 郁新舉;劉瑋蓀;黃錦才
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/302
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司31211
• 代理人: 郭四華

技術領域

本發明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種太鼓(Taiko)減薄工藝的去環方法。

背景技術

Taiko減薄工藝是由日本DISCO公司開發的一種超薄減薄工藝，Taiko減薄工藝并不是對晶圓即硅片的整個平面都減薄，而是僅對晶圓的中間部分進行減薄，晶圓的邊緣部分不進行研磨減薄，不進行減薄的邊緣部分的寬度約為2毫米～5毫米并由該不進行減薄的邊緣部分形成支撐環。

一般當硅片薄到一定程度，且面積較大時，其機械強度大大下降，以8英寸硅片為例，當硅片厚度<200微米時，硅片會發生卷曲，因此無法繼續進行搬送、轉移和加工。而采用Taiko減薄工藝之后，僅硅片的中間部分減薄，利用硅片的中間部分形成集成電路的器件；利用較厚的支撐環來保持整個硅片的機械強度，防止硅片發生卷曲，有利于后續工藝中對硅片的搬送、轉移和加工。

Taiko減薄工藝主要包含貼膜，減薄，揭膜，背面工藝，切割膜(Dicing tape)貼附，環切等步驟。

在其中的環切工藝步驟一般采用機械切割或激光切割將支撐環切除或采用研磨的方法將所述支撐環磨平。在現有環切工藝步驟中，很容易產生邊緣崩齒進而導致整片晶圓破碎，即現有環切工藝極容易發生在取環時候的碎片問題，某些產品碎片率更是高達10％左右。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種太鼓減薄工藝的去環方法，能降低環切步驟中的碎片率或完全防止環切步驟中的碎片。

為解決上述技術問題，本發明提供的太鼓減薄工藝的去環方法包括如下步驟：

步驟一、使用太鼓減薄工藝方法對晶圓背面進行減薄，所述晶圓的中間部分減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環。

步驟二、在減薄后的所述晶圓的背面完成背面工藝。

步驟三、將完成背面工藝的所述晶圓貼附在切割膠帶上并固定在劃片環上。

步驟四、在距離所述晶圓的中間部分的外側邊緣的內側2毫米～10毫米處切割形成緩沖溝槽，所述緩沖溝槽的寬度和深度滿足能夠防止后續環切工藝中產生邊緣崩齒時使整個所述晶圓破碎的條件。

步驟五、采用環切工藝將所述晶圓的所述支撐環切除或者磨平。

進一步的改進是，步驟一中對所述晶圓的中間部分進行背面減薄后的厚度為25微米～200微米。

進一步的改進是，步驟一中對所述支撐環的寬度為2毫米～5毫米。

進一步的改進是，步驟四中所述緩沖溝槽采用機械切割或者激光切割的方法形成。

進一步的改進是，步驟四中所述緩沖溝槽的寬度為10微米～200微米。

進一步的改進是，步驟四中所述緩沖溝槽的深度大于等于所述晶圓的中間部分減薄后的厚度。

進一步的改進是，步驟四中所述緩沖溝槽的深度為30微米～200微米。

進一步的改進是，所述切割膠帶的厚度為30微米～200微米。

進一步的改進是，所述切割膠帶為紫外線照射膠帶或熱敏膠帶。

進一步的改進是，步驟五中的所述環切工藝采用機械切割或者激光切割的方法實現對所述支撐環的切除，或者步驟五中的所述環切工藝采用研磨的方式將所述支撐環磨平。

本發明通過在環切工藝之前形成一個緩沖溝槽，緩沖溝槽位于支撐環的內側，所以在對支撐環進行環切工藝時，緩沖溝槽位于支撐環的環切位置內側，即使在環切工藝中出現邊緣崩齒，緩沖溝槽能將邊緣崩齒的不利影響屏蔽在緩沖溝槽和支撐環之間的區域、并不會傳遞到形成有集成電路器件的晶圓的中間部分，所以不會使整片晶圓破碎，能降低環切步驟中的碎片率或完全防止環切步驟中的碎片。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1是本發明實施例方法流程圖；

圖2A-圖2D是本發明實施例方法各步驟中晶圓結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，是本發明實施例方法流程圖；如圖2A至圖2D所示，是本發明實施例方法各步驟中晶圓結構示意圖。本發明實施例太鼓減薄工藝的去環方法包括如下步驟：

步驟一、如圖2A所示，使用太鼓減薄工藝方法對晶圓背面進行減薄，所述晶圓的中間部分1a減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環1b。

所述晶圓的中間部分1a用于形成集成電路器件。較佳為，所述晶圓的中間部分1a進行背面減薄后的厚度為25微米～200微米，具體厚度可以根據集成電路器件的需要而進行調整。