[發(fā)明專利]太鼓減薄工藝的去環(huán)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410363960.4
• 申請日: 2014-07-29
• 公開（公告）號: CN104517804B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郁新舉;劉瑋蓀;黃錦才
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/302
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 郭四華

1.一種太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、使用太鼓減薄工藝方法對晶圓背面進(jìn)行減薄，所述晶圓的中間部分減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環(huán)；

步驟二、在減薄后的所述晶圓的背面完成背面工藝；

步驟三、將完成背面工藝的所述晶圓貼附在切割膠帶上并固定在劃片環(huán)上；

步驟四、在距離所述晶圓的中間部分的外側(cè)邊緣的內(nèi)側(cè)2毫米～10毫米處切割形成緩沖溝槽，所述緩沖溝槽的寬度和深度滿足能夠防止后續(xù)環(huán)切工藝中產(chǎn)生邊緣崩齒時使整個所述晶圓破碎的條件；

步驟五、采用環(huán)切工藝將所述晶圓的所述支撐環(huán)切除或者磨平。

2.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：步驟一中對所述晶圓的中間部分進(jìn)行背面減薄后的厚度為25微米～200微米。

3.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：步驟一中對所述支撐環(huán)的寬度為2毫米～5毫米。

4.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：步驟四中所述緩沖溝槽采用機(jī)械切割或者激光切割的方法形成。

5.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：步驟四中所述緩沖溝槽的寬度為10微米～200微米。

6.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：步驟四中所述緩沖溝槽的深度大于等于所述晶圓的中間部分減薄后的厚度。

7.如權(quán)利要求1或6所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：步驟四中所述緩沖溝槽的深度為30微米～200微米。

8.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：所述切割膠帶的厚度為30微米～200微米。

9.如權(quán)利要求1或8所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：所述切割膠帶為紫外線照射膠帶或熱敏膠帶。

10.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于：步驟五中的所述環(huán)切工藝采用機(jī)械切割或者激光切割的方法實現(xiàn)對所述支撐環(huán)的切除，或者步驟五中的所述環(huán)切工藝采用研磨的方式將所述支撐環(huán)磨平。