[發明專利]TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法有效
| 申請號: | 201410363956.8 | 申請日: | 2014-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN104124183A | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發明(設計)人: | 華亞平 | 申請(專利權)人: | 安徽北方芯動聯科微系統技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 34102 | 代理人: | 王琪;牛濤 |
| 地址: | 233042*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tsv 圓片級 封裝 mems 芯片 失效 分析 裝置 及其 方法 | ||
技術領域
本發明屬于MEMS芯片分析領域,具體是涉及到一種用于TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置,本發明還涉及利用這種分析裝置進行MEMS芯片失效分析的方法。
背景技術
MEMS(Micro-Electro-Mechanical?Systems)是微機電系統的縮寫,MEMS制造技術利用微細加工技術,特別是半導體圓片制造技術,制造出各種微型機械結構,結合專用控制集成電路(ASIC),組成智能化的微傳感器、微執行器等MEMS元器件。MEMS元器件具有體積小、成本低、可靠性高、抗惡劣環境能力強、功耗低、智能化程度高、易校準、易集成的優點,被廣泛應用于消費類電子產品(如手機、平板電腦、玩具、數碼相機、游戲機、空中鼠標、遙控器、GPS等)、國防工業(如智能炸彈、導彈、航空航天、無人飛機等)以及工業類產品(如汽車、機器人、智能交通、工業自動化、環境監測、平臺穩定控制、現代化農業、安全監控等),MEMS元器件逐漸成為物聯網技術的基石。
隨著便攜式電子產品,如手機、平板電腦、可穿戴裝置等市場的迅猛增長,消費類電子產品已成為MEMS元器件的最大市場,幾乎每個便攜式電子產品中都會用到多個MEMS元器件,以智能手機為例,它用到了陀螺儀、加速度計、高度計、麥克風、電子指南針、調諧天線、濾波器等。為達到便攜式電子產品對MEMS元器件體積小、性能高、功耗低、價格便宜的要求,MEMS元器件需要在圓片制造過程中先進行圓片級封裝,保護可動、易碎的微機械結構,然后將圓片切割成芯片,再通過普通塑料封裝方法進行封裝。
MEMS結構通常由單晶硅或多晶硅材料構成,硅材料的剛性和抗疲勞性能很好,但比較脆,受到外力沖擊時易發生碎裂,引起器件失效;MEMS芯片加工過程中的工藝缺陷,如殘留物、吸氣劑等淀積材料的剝離、密封材料外溢、鍵合強度不夠等,也會引起器件失效;另外,由于設計缺陷引起的在芯片加工或使用過程中的MEMS結構吸合,也是最常見的失效機理。在分析這些失效機理時,必須給MEMS結構提供一個激勵信號(直流電壓或交流電壓),然后測試MEMS結構的漏電值、電容值、共振頻率、吸合電壓、運動幅度等參數,判斷MEMS結構的失效原因。矩形平板電容的靜電力與施加的電壓的平方成正比,靜電力公式如下:
ε為介電常數,a為電容長度,b為電容寬度,d為電容間距,U為施加的電壓。
普通的圓片級封裝的MEMS芯片如圖1所示,MEMS芯片1的蓋板17、MEMS層11和底板16圍成一個密封腔10,為MEMS結構11a提供一個不受外部干擾、可自由活動的空間。MEMS層11與蓋板17間通過Si-Si鍵合或Si-SiO2鍵合工藝結合在一起,MEMS層11與底板16通過金屬密封層12結合在一起;同時,MEMS結構11a的電信號由通孔18傳送到夾在第一絕緣層15和第二絕緣層13之間的導電金屬層14上,再由導電金屬層14從密封腔10中引出;第二絕緣層13在密封腔10外面的部分上有一個用于封裝時打線用的壓焊窗19。該MEMS芯片1的一個顯著特點就是壓焊窗19在MEMS結構11a的側面,除去蓋板17后,MEMS結構11a和壓焊窗19同時露出來,這樣,在失效分析時,將探針扎在壓焊窗19中的金屬上,通過顯微鏡可以直接觀察MEMS結構11a的響應情況,從而進行失效分析。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





